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Datos del producto:
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| Número de pieza: | IQE046N08LM5 | Paquete: | PG-TSON-8 |
|---|---|---|---|
| Rango de temperatura de funcionamiento: | -55°C a 175°C | Rango VGS(ésimo): | 1,1 V a 2,3 V |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): | 4.5V y 10V | Vgs (máximo): | ±20V |
IQE046N08LM5 es un OptiMOSTM 5 de potencia MOSFET 80V de nivel lógico mejor en su clase en PQFN 3.3x3.3 paquete de fuente hacia abajo,ofreciendo la resistencia RDS ((on) más baja del sector a 25 ̊C y un rendimiento térmico superiorEl OptiMOS TM Source-Down cuenta con un revolucionario diseño de matrices de silicio invertido que proporciona una mejor capacidad térmica, una mayor densidad de energía y mejores posibilidades de diseño.Combinado con la norma industrial PQFN 3.3x3.3 paquete, IQE046N08LM5 está dirigido a productos SMPS de alta densidad de potencia y rendimiento que se encuentran comúnmente en los servidores de telecomunicaciones y datos.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Polaridad del transistor | N-canal |
| Número de canales | 1 Canal |
| Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje | Las demás: |
| Id - Corriente de drenaje continua | 99 A |
| Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje | 4.6 mOhms |
| Vgs - Tensión de la fuente de la puerta | -20 V, 20 V |
| Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta | 2.3 V |
| Qg - Carga de la puerta | 38 nC |
| Temperatura mínima de funcionamiento | -55 °C |
| Temperatura máxima de funcionamiento | +175°C |
| Pd - Disposición de energía | 100 W |
| Modo de canal | Mejoramiento |
| Configuración | No casado |
| Tiempo de otoño | 4.4 ns |
| Transconductividad hacia adelante - Min | 62 S |
| Tipo de producto | MOSFETs |
| Es hora de levantarse | 2.6 ns |
| Tiempo de retraso típico de apagado | 18 ns |
| Tiempo de retraso típico de encendido | 5.2 ns |
| Número de la parte | Paquete |
|---|---|
| Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. | 24 FBGA |
| S70KS1282GABHI020: el número de personas que pueden participar en el proyecto | 24 FBGA |
| El número de unidades de producción será el siguiente: | 24 FBGA |
| RV1S9231ACCSP-10YV # SC0 | 5-LSSO |
| RV1S9353ACCSP-120V # SC0 | 8 - SMD |
| Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión | Se trata de un producto de la industria de la energía. |
| 4DIR0401 HAXUMA1 y sus componentes | Se trata de un producto de la industria de la energía. |
| 4DIR1400HAXUMA1 y sus componentes | Se trata de un producto de la industria de la energía. |
| 4DIR1421 HAXUMA1 y sus componentes | Se trata de un producto de la industria de la energía. |
| 4DIR1420HAXUMA1 y sus componentes | Se trata de un producto de la industria de la energía. |
| STM32H7R7L8H6H | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7R7Z8J6 | Se aplican las siguientes medidas: |
| STM32H7S7I8K6 | Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2. |
| STM32H7S7I8T6 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7S7L8H6 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7S7L8H6H | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7S7Z8J6 | Se aplican las siguientes medidas: |
| STM32H7S3A8I6 | Se aplican las siguientes medidas: |
| STM32H7S3I8K6 | Se aplicará a los vehículos de la categoría M1 y M2. |
| STM32H7S3I8T6 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7S3L8H6 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7S3L8H6H | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7S3V8T6 | 100 LQFP |
| STM32H7S3V8H6 | Se aplican las siguientes medidas: |
| STM32H7S3Z8T6 | Se aplican las siguientes condiciones: |
| STM32H7S3Z8J6 | Se aplican las siguientes medidas: |
| STM32H7S3R8V6 | VQFN-68 y el número de identificación de la empresa |
| STM32H7R3L8H6 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| STM32H7R3Z8J6 | Se aplican las siguientes medidas: |
| STM32H7R3I8T6 | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Persona de Contacto: Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753