Chip IC de memoria H5AN8G6NDJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM con velocidad de datos de 3200 Mbps en paquete FBGA-96

H5AN8G6NDJR-XNC es una DRAM síncrona CMOS de doble velocidad de datos IV (DDR4) de 8 Gb, ideal para aplicaciones de memoria principal que requieren una gran densidad de memoria y un gran ancho de banda.

• VDD=VDDQ=1,2V +/- 0,06V
• Funcionamiento de entradas de reloj totalmente diferenciales (CK, CK)
• Luz estroboscópica de datos diferenciales (DQS, DQS)
• La DLL del chip alinea la transición DQ, DQS y DQS con la transición CK
• Las máscaras DM escriben datos en los flancos ascendentes y descendentes de la luz estroboscópica de datos.
• Latencia CAS programable compatible con 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 y 20
• Admite latencia aditiva programable 0, CL-1 y CL-2 (solo x4/x8)
• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
• Longitud de ráfaga programable 4/8 con modo secuencial y entrelazado
• Interruptor BL sobre la marcha
• 16 bancos
• Ciclo de actualización promedio (caso de 0°C~95°C)
• Estándar JEDEC 78 bolas FBGA (x4/x8), 78 bolas FBGA (x16)
• Fuerza del conductor seleccionada por MRS
• Compatible con terminación dinámica en matriz
• Dos estados de terminación como RTT_PARK y RTT_NOM conmutables por pin ODT
• Se admite pin RESET asíncrono
• Compatible con calibración ZQ
• Compatible con TDQS (estroboscópico de datos de terminación) (solo x8)
• Nivelación de escritura compatible
• captación previa de 8 bits
• Cumple con RoHS
• Generación de nivel interno Vref DQ disponible
• Escritura CRC compatible en todos los grados de velocidad
• Modo de ahorro de energía máximo admitido
• Modo TCAR (actualización automática controlada por temperatura) compatible
• Se admite el modo LP ASR (actualización automática de bajo consumo)
• Actualización de granularidad fina compatible
• Soporta direccionabilidad por DRAM
• Modo de reducción de marcha (velocidad 1/2, velocidad 1/4) compatible
• Preámbulo programable para lectura y escritura compatible.
• Se admite la cancelación de actualización automática
• Se admite el modo de paridad CA (paridad de comando/dirección)
• Agrupación bancaria aplicada con latencia CAS a CAS para accesos al mismo/diferente grupo bancario
• Compatible con DBI (inversión de bus de datos) (x8)

Dispositivos informáticos personales:Módulos de memoria (SO-DIMM) para portátiles y mini PC (NUC) de alto rendimiento; Diseño de memoria integrada para PC todo en uno y computadoras de escritorio de nivel básico

Servidores y Centros de Datos:Conjuntos de módulos de memoria (RDIMM/UDIMM) para servidores de clase empresarial; Nodos de borde en matrices de almacenamiento de centros de datos; Grupos de memoria para infraestructura de computación en la nube

Sistemas Industriales y Embebidos:Memoria de sistema para equipos de automatización y control industrial; Almacenamiento en búfer de paquetes para equipos de comunicación de red (enrutadores, conmutadores); Memoria principal para dispositivos médicos e instrumentos de prueba y medición.

Electrónica de consumo:Dispositivos que requieren un gran ancho de banda de memoria, como televisores inteligentes de alta gama, decodificadores digitales y consolas de juegos.