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BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

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Ampliación de imagen :  BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: BM3G107MUV-LBE2
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Paquete estándar
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC

Descripción
Resaltar:

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC

,

BM3G107MUV-LBE2

BM3G107MUV-LBE2 GaN IC Nano Cap™ EcoGaN™ 650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT Power Stage IC [MJD Advantage] + 15 years experience for electronic components + Secure Ordering + Excellent Feedback + Delivery Date Guaranteed + 100% Low Price Guaranteed + Export to 108 countries, customer satisfaction rate: 99.9% !! [Company profile] Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. is an authorized independent distributor of electronic components of world-renowned brands. Founded in Shenzhen in 1996

etiqueta:

VQFN54 integró el medio puente Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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