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SIR626LDP 60V MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 30,7 A y resistencia Drenador-Fuente de 1,5 mOhm en encapsulado PowerPAK SO-8

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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SIR626LDP 60V MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 30,7 A y resistencia Drenador-Fuente de 1,5 mOhm en encapsulado PowerPAK SO-8

SIR626LDP 60V MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 30,7 A y resistencia Drenador-Fuente de 1,5 mOhm en encapsulado PowerPAK SO-8
SIR626LDP 60V MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 30,7 A y resistencia Drenador-Fuente de 1,5 mOhm en encapsulado PowerPAK SO-8

Ampliación de imagen :  SIR626LDP 60V MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 30,7 A y resistencia Drenador-Fuente de 1,5 mOhm en encapsulado PowerPAK SO-8

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: SIR626LDP
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: PowerPAK SO-8
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T, L/C, Unión Occidental
Contacto

SIR626LDP 60V MOSFET de potencia de canal N con corriente de drenaje continua de 30,7 A y resistencia Drenador-Fuente de 1,5 mOhm en encapsulado PowerPAK SO-8

Descripción
Número de pieza: SIR626LDP Serie: TrenchFET® generación IV
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): Las demás: Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30,7A (Ta), 125A (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: Las demás: Disipación de potencia (Max): 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Resaltar:

MOSFET de potencia de voltaje de fuente de drenaje de 60 V

,

MOSFET de corriente de drenaje continuo de 30

,

7 A

SIR626 Chip de circuito integrado 60V TrenchFET Gen IV MOSFET de potencia de canal N en paquete PowerPAK SO-8
Descripción del producto SIR626

SIR626 es un MOSFET de potencia N de 60 V de alto rendimiento,fabricado utilizando el proceso TrenchFET de cuarta generación y optimizado para aplicaciones que requieren una eficiencia extrema y conmutación de alta frecuenciaSu principal ventaja radica en la combinación de una resistencia de encendido extremadamente baja (1,5 mΩ) y una carga de puerta optimizada (41 nC), que ofrece una cifra de mérito (FOM) líder en la industria.lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones como la conversión de potencia, rectificación síncrona y motores que exigen una alta eficiencia y una alta densidad de potencia.

EspecificacionesDe lasSe trata de un
Parámetro Valor
Categoría de productos MOSFETs
Tecnología Sí, sí.
Estilo de montaje DSM/SMT
Envase / estuche Se trata de un sistema de control de velocidad.
Polaridad del transistor N-canal
Número de canales 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje Las demás:
Id - Corriente de drenaje continua 186 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje 1.5 mOhms
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta -20 V, 20 V
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta 1 V
Qg - Carga de la puerta 135 después de Cristo
Temperatura mínima de funcionamiento -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento + 150°C
Pd - Disposición de energía 104,4 W
Modo de canal Mejoramiento
Configuración No casado
Tiempo de otoño 10 ns
Transconductividad hacia adelante - Min 140 S
Tipo de producto MOSFETs
Es hora de levantarse 64 ns
Tipo de transistor 1 canal N
Tiempo de retraso típico de apagado 45 ns
Tiempo de retraso típico de encendido 17 ns
Características claveDe lasSe trata de un
  • MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV
  • RDS muy bajo - Qg-figure-of-merit (FOM)
  • Ajustado para el RDS más bajo - Qoss FOM
  • 100% Rg y UIS probados
AplicacionesDe lasSe trata de un
  • Rectificación sincrónica
  • Interruptor lateral primario
  • Conversor de corriente continua
  • Microinversores solares
  • Interruptor de transmisión del motor
  • Batería y interruptor de carga
  • Industriales
Otros componentes electrónicos en stock
Número de la parte Paquete
SGT1D5R10MEA En-FCLGA 5x6
SIT92112AI El DFN-8
SIT92211AI No incluye:
SIT92113AI No incluye:
SIT92216AI Las condiciones de los productos incluidos en el presente anexo No incluye:
SIT92110AI No incluye:
SIT92114AI Las medidas previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las empresas que: El DFN-8
SIT92184AA El DFN-8
SIT91211 No incluye:
SIT8924BA PQFN-4
SIT8944BA PQFN-4
Se trata de un documento de identificación de la empresa. Las condiciones de los certificados de calidad
SIT9121AI El SMD-6
SIT8944BM PQFN-4
SIT9346AI Las medidas previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las empresas que: El SMD-6
SIT8944BI PQFN-4
SIT5541AE Las condiciones de los certificados de calidad
SIT5346AI Las empresas de servicios de telecomunicaciones Las condiciones de los certificados de calidad
Se aplicará el procedimiento siguiente: PQFN-4
SIT8209AI Las condiciones de los productos PQFN-4
SIT9356AE El SMD-6
SIT9346AE El SMD-6
SIT5501AI Las condiciones de las ayudas Las condiciones de los certificados de calidad
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las condiciones de los certificados de calidad
SIT5501AICWU Las condiciones de los certificados de calidad
SIT9375AC, el cual es PQFD-6
SIT9375AI PQFD-6
SIT9375AB PQFD-6
SIT9375AE PQFD-6
Se aplicará el procedimiento siguiente: PQFN-6
- ¿ Qué es eso?El número de personas a las que se refiere el presente Reglamento es el número de personas a las que se refiere el presente Reglamento.
Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede apoyar el pedido de pequeña cantidad o la muestra? ¿Es la muestra gratuita?
R: Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pedido pequeño. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar el transportista sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días laborables. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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