CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Ganancia de 6 GHz a 12 GHz Nitruro de galio HEMT amplificador de potencia MMIC

El CMPA601 es un circuito integrado monolítico de microondas (MMIC) basado en transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) sobre un sustrato de carburo de silicio, que utiliza un proceso de fabricación con una longitud de puerta de 0,25 μm. El GaN sobre SiC ofrece propiedades superiores en comparación con el silicio, el arseniuro de galio o el GaN sobre Si, incluyendo un mayor voltaje de ruptura, una mayor velocidad de deriva de electrones saturada y una mayor conductividad térmica. Los HEMT de GaN también proporcionan una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con los transistores de Si, GaAs y GaN sobre Si. Este MMIC presenta un enfoque de diseño de amplificador con coincidencia reactiva que permite anchos de banda muy amplios.

• Ganancia de señal pequeña de 34 dB
• PSAT típico de 40 W
• Operación hasta 28 V
• Alto voltaje de ruptura
• Operación a alta temperatura
• Tamaño 0,172 x 0,239 x 0,004 pulgadas

• Amplificadores de banda ancha
• Amplificadores de radar
• Amplificadores de equipos de prueba
• Amplificadores de interferencia