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Datos del producto:
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| Número de pieza: | C4D20120H | Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.): | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Corriente - Promedio Rectificado (Io): | 54A | Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si: | 1.8 V @ 20 A |
| Tiempo de recuperación inverso (trr): | 0 años | Corriente - Fuga inversa @ Vr: | µA 200 @ 1200 V |
| Resaltar: | Diodo Schottky de SiC de 1200 V,Diodo Schottky de SiC 20A,Diodo Schottky de SiC de recuperación inversa cero |
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C4D20120 es un diodo Schottky SiC de 1200V 20A en paquete TO-247-2.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Configuración | Ánodo único Doble |
| Si - Corriente directa | 54 A |
| Vrrm - Voltaje inverso repetitivo | 1.2 kV |
| Vf - Voltaje directo | 1.5 V |
| Ifsm - Corriente de sobretensión directa | 130 A |
| Ir - Corriente inversa | 35 uA |
| Temperatura mínima de operación | -55°C |
| Temperatura máxima de operación | +175°C |
| Vr - Voltaje inverso | 1.2 kV |
| Pd - Disipación de potencia | 246 W |
C4D20120H, C4D20120
| Número de parte | Paquete |
|---|---|
| ICE2QR2280Z | DIP-7 |
| ICE2QR0680Z | DIP-7 |
| ICE3BR4765JG | DSO-12 |
| ICE5QR4780BG | DSO-12 |
| ICE5QR0680BG | DSO-12 |
| ICE2QR4765G | DSO-12 |
| XDPS2201D | DSO-14 |
| CYPD3184A1-24LQXQ | VQFN-24 |
| CYPAS111A1-24LQXQ | VQFN-24 |
| XDPS2201V | DSO-14 |
| CYPAP112A3-10SXQ | DSO-10 |
| CYPAP211A1-14SXI | DSO-14 |
| CYPAP212A1-14SXI | DSO-14 |
| ILD8150E | DSO-8 |
| IM66D120A | TLGA-5 |
| IM66D130A | TLGA-5 |
| IMBG65R007M2H | TO263-7 |
| IMBG65R015M2H | TO263-7 |
| IMBG65R020M2H | TO263-7 |
| CYPD727268LQXQ | VQFN-68 |
| IMBG65R040M2H | TO263-7 |
| IMBG65R050M2H | TO263-7 |
| BTG7007A1EPW | TSDSO-14 |
| CY8C4147AZES565 | 64-TQFP |
| CY8C4147AZSS595 | 64-TQFP |
| CY8C4147LDES573 | 48-QFN |
| CY8C4147LDSS583 | 48-QFN |
| CY8C4148AZAS558 | 100-LQFP |
| CY8C4148AZAS568 | 100-LQFP |
| CY8C4148AZAS595 | 64-TQFP |
Persona de Contacto: Sales Manager
Teléfono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753