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IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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—— Vincent de Rusia

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—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications
IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

Ampliación de imagen :  IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: IRLB3813
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: TO-220-3
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

Descripción
Número de pieza: IRLB3813 Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): 30 voltios
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 260A (Tc) Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: 1,95 mOhmios a 60 A, 10 V Vgs(th) (máximo) @ Id: 2.35V @ 150µA
Resaltar:

30V Power MOSFET

,

260A MOSFET Transistor

,

1.95mOhm StrongIRFET

IRLB3813 Integrated Circuit Chip 30V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET Transistors Product Overview Of IRLB3813 IRLB3813 is a 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package. The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness, addressing applications including DC motors, battery management systems,

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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