W632GU6RB-11 Chip de IC de memoria 2Gbit DDR3L SDRAM 933MHz Baja tensión para sistemas embebidos

El W632GU6RB-11 es un chip de memoria SDRAM DDR3L de 2 Gb. DDR3L es una versión de bajo voltaje de DDR3 que reduce significativamente el consumo de energía mientras mantiene capacidades de transferencia de datos de alta velocidad, lo que lo hace ideal para sistemas integrados con requisitos de eficiencia energética y ancho de banda.

El W632GU6RB-11 presenta una arquitectura de 16M × 8 bancos × 16 bits, con una capacidad total de 2 Gb y un ancho de bus de datos de 16 bits (x16). Admite un voltaje central de 1,35 V (VDD) y un voltaje de E/S de 1,35 V/1,5 V (VDDQ), al tiempo que se mantiene compatible con los niveles de E/S estándar de 1,5 V de DDR3, lo que permite una selección flexible durante el diseño del sistema. El chip está alojado en un paquete VFBGA de 96 bolas, que mide solo 7,5 mm × 13 mm, lo que lo hace adecuado para aplicaciones integradas con restricciones de espacio.

• Fuente de alimentación: 1,35 V (típ.), VDD, VDDQ = 1,283 V a 1,45 V
• Compatible con versiones anteriores a VDD, VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• Ocho bancos internos para operación concurrente
• Arquitectura de prelectura de 8 bits
• Latencia CAS: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 y 14
• Modos de longitud de ráfaga 8 (BL8) y corte de ráfaga 4 (BC4): fijos a través del registro de modo (MRS) o seleccionables sobre la marcha (OTF)
• Ordenación de ráfagas de lectura programable: intercalada o secuencial de nibble
• Las señales de datos diferenciales bidireccionales (DQS y DQS#) se transmiten/reciben con los datos
• Alineado con el borde de los datos de lectura y centrado con los datos de escritura
• DLL alinea las transiciones de DQ y DQS con el reloj
• Entradas de reloj diferenciales (CK y CK#)
• Comandos ingresados en cada borde positivo de CK, los datos y la máscara de datos se refieren a ambos bordos de un par de señales de datos diferenciales (doble velocidad de datos)
• CAS publicado con latencia aditiva programable (AL = 0, CL - 1 y CL - 2) para mejorar la eficiencia del bus de comandos, direcciones y datos
• Latencia de lectura = Latencia aditiva más latencia CAS (RL = AL + CL)
• Operación de autopre-carga para ráfagas de lectura y escritura
• Actualización, auto-actualización, auto-actualización automática (ASR) y auto-actualización de matriz parcial (PASR)
• Apagado con pre-carga y apagado activo
• Máscaras de datos (DM) para datos de escritura
• Latencia de escritura CAS programable (CWL) por frecuencia de operación
• Latencia de escritura WL = AL + CWL
• Registro multipropósito (MPR) para leer una secuencia de bits de calibración de tiempo del sistema predefinida
• Soporte de calibración de tiempo a nivel de sistema a través de nivelación de escritura y patrón de lectura MPR
• Calibración ZQ para el controlador de salida y ODT utilizando una resistencia de referencia externa a tierra
• Pin RESET# asíncrono para la secuencia de inicialización de encendido y la función de reinicio
• Terminación en chip programable (ODT) para datos, máscara de datos y pares de señales de datos diferenciales
• Modo ODT dinámico para mejorar la integridad de la señal e impedancias de terminación preseleccionables durante las escrituras
• Tamaño de página de 2K bytes

• Sistemas integrados: Aplicaciones que requieren cachés de alta velocidad de capacidad media, como control industrial, interfaces hombre-máquina (HMI) y terminales de adquisición de datos
• Equipos de red: Almacenamiento en búfer de datos en dispositivos de comunicación como enrutadores, conmutadores y puertas de enlace
• Electrónica de consumo: Productos de consumo sensibles al costo, como televisores digitales, decodificadores y altavoces inteligentes
• Electrónica automotriz: Sistemas de infoentretenimiento en el vehículo y dispositivos de navegación (se debe seleccionar la versión de temperatura de grado industrial)
• Visión industrial: Almacenamiento en búfer de fotogramas para cámaras de visión artificial y tarjetas de captura de imágenes