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IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Name: IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IXFH80N65X2W
Price: Negociable USD
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Ampliación de imagen : IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Datos del producto:

Lugar de origen:	CN
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	IXFH80N65X2W

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	TO247-3
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Unión Occidental

Contacto

IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Descripción

Número de pieza:	IXFH80N65X2W	Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):	650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:	80A (Tc)	Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):	10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	38 mOhmios a 40 A, 10 V	Vgs(th) (máximo) @ Id:	5V @ 4mA
Resaltar:	650V MOSFET Transistor , 80A Power MOSFET , 38mOhm N-Channel MOSFET

IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3 Product Overview Of IXFH80N65X2W The IXFH80N65X2W is an X2-Class HiPerFET power MOSFET rated at 650 V breakdown voltage with 80 A continuous drain current and 38 mΩ on-resistance. It is an avalanche-rated, N-channel enhancement-mode device featuring a fast intrinsic body diode, low gate charge, and low package inductance for high power density designs. This part targets switch-mode and resonant

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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