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IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors

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Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors

IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors
IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors

Ampliación de imagen :  IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: SOT-227-4
Tiempo de entrega: 3-5 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 10000 piezas por día
Contacto

IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors

Descripción
Número de pieza: Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. Drenaje a voltaje de fuente (Vdss): Las demás:
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C: 53A (Tc) Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado): 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efec Vgs(th) (máximo) @ Id: 5V @ 8mA
Resaltar:

800V Power MOSFET Transistor

,

53A N-Channel MOSFET

,

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

IXFN60N80P Integrated Circuit Chip N-Channel Enhancement Mode 800V 53A Power MOSFET Transistors Product Overview Of IXFN60N80P The IXFN60N80P is an N-Channel Enhancement Mode 800V, 53A Power MOSFET Transistor. Polar™ HiPerFETs (IXF..) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridge motor control and uninterruptible power supply (UPS) applications.

etiqueta:

Microprocesador 24-PQFN del circuito integrado,

Linear en doble canal de TUSB1002ARGER,

Microprocesadores integrados QFN24

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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