Porcelana Microprocesador del circuito integrado

El microprocesador LT6654AIS6-5 del circuito integrado suministra la impulsión de alto rendimiento IC SOT-23-6 de poco ruido

Número de parte:LT6654AIS6-5

de poco ruido:1.6ppmP-P (0.1Hz a 10Hz)

Fuente ancha:Gama a 36V
Convertidor de analógico a digital del microprocesador ADS1258IRTCR 16-Channel 24-Bit del circuito integrado

Número de parte:ADS1258IRTCR

Número de pedazos:24

Tasa de muestreo (por segundo):125k
Microprocesador de reguladores de Ethernet del microprocesador AQC113-B1-I 10Gbps PCIe del circuito integrado FCBGA224

Número de parte:AQC113-B1-I

GEN 3:GEN 3 x2

GEN 2:GEN 2 x2
MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrado de SIC

Número de parte:SCT1000N170AG

Disipación de poder total en TC = °C 25:96W

Gama de temperaturas de almacenamiento:-55 °C al °C 200
Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

Número de parte:SCT070HU120G3AG

Voltaje de la Dren-fuente:1200V

Corriente del dren (pulsada):100A
MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

Número de parte:SCT070H120G3AG

Voltaje de la Dren-fuente:1200V

Voltaje de la Puerta-fuente:-10V a 22V
Chip CI del microprocesador HU3PAK del circuito integrado del MOSFET SCT040HU65G3AG SIC del poder del carburo de silicio

Número de parte:SCT040HU65G3AG

Paquete:HU3PAK

minuto del voltaje de avería de la Dren-fuente (VGS = 0 V, identificaciones = 1 mA):650 V
Transistores anchos del ² PAK-7 Bandgap de los MOSFETs H del microprocesador SCT040H65G3AG del circuito integrado de SIC sic

Número de parte:SCT040H65G3AG

Tipo de la energía de la vuelta-apagado que cambia (RG=15Ω, VGS=-5V a 18V):67µJ

Paquete:² PAK-7 DE H
Grado automotriz del microprocesador H2PAK-7 del circuito integrado de los transistores de poder SCT040H120G3AG SIC

Número de parte:SCT040H120G3AG

Tipo del RDS (encendido):mΩ 40

Tipo estático de la en-resistencia de la dren-fuente (VGS = 18 V, identificación = 16 A):40MΩ
MOSFETs anchos de los transistores 100A del microprocesador SCT020H120G3AG Bandgap del circuito integrado de SIC sic

Número de parte:SCT020H120G3AG

Disipación de poder total en TC = °C 25:555 W

Corriente del dren (pulsada):281 A
Sic microprocesador H2PAK-7 del circuito integrado de los transistores SCT012H90G3AG 110A SIC de los MOSFETs

Número de parte:SCT012H90G3AG

Energía que cambia de la vuelta-apagado (tipo):889uJ

Tiempo de retraso de abertura (tipo):37ns
Transistores de los MOSFETs TO-247-4 de los FETs del microprocesador SCTWA70N120G2V del circuito integrado de SIC solos

Número de parte:SCTWA70N120G2V

Tipo del FET:Canal N

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V

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MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

Chip CI del microprocesador HU3PAK del circuito integrado del MOSFET SCT040HU65G3AG SIC del poder del carburo de silicio

Transistores anchos del ² PAK-7 Bandgap de los MOSFETs H del microprocesador SCT040H65G3AG del circuito integrado de SIC sic

Grado automotriz del microprocesador H2PAK-7 del circuito integrado de los transistores de poder SCT040H120G3AG SIC

MOSFETs anchos de los transistores 100A del microprocesador SCT020H120G3AG Bandgap del circuito integrado de SIC sic

Sic microprocesador H2PAK-7 del circuito integrado de los transistores SCT012H90G3AG 110A SIC de los MOSFETs

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