Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Los microcontroladores del microprocesador STM32H743XIH6 del circuito integrado saltan el alto rendimiento 480MHz

  Número de parte:STM32H743XIH6

  Memoria Flash:Hasta 2 MBYTEs

  Interfaz bimodal de la memoria de Patio-SPI:Funcionar con hasta 133 megaciclos

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  El microprocesador ATSAMD20E14A-MU SMART del circuito integrado Brazo-basó los microcontroladores

  Número de parte:ATSAMD20E14A-MU

  Procesador de la base:ARM® Cortex®-M0+

  Tamaño de base:Solo-corazón de 32 bits

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  Microprocesador 650V TO-263-8 del circuito integrado de los transistores IPBE65R115CFD7A de los MOSFETs del canal N

  Número de parte:IPBE65R115CFD7A

  Vgs (máximo):±20V

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1950 PF @ 400 V

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  Microcontrolador de 32 bits IC del Solo-corazón 48MHz 64KB del microprocesador ATSAMD20E16A-AU del circuito integrado

  Número de parte:ATSAMD20E16A-AU

  Número de entrada-salida:26

  Tamaño de la memoria del programa:64KB (64K x 8)

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  chip CI del microprocesador 44VQFN del microcontrolador del microprocesador ATMEGA32U4-MU 8Bit del circuito integrado 16MHz

  Número de parte:ATMEGA32U4-MU

  Registros de trabajo de fines generales:32 x 8 registros de trabajo de fines generales

  Producción:Hasta 16 MIPS de producción en 16MHz

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  El microprocesador LT6654AIS6-5 del circuito integrado suministra la impulsión de alto rendimiento IC SOT-23-6 de poco ruido

  Número de parte:LT6654AIS6-5

  de poco ruido:1.6ppmP-P (0.1Hz a 10Hz)

  Fuente ancha:Gama a 36V

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  Convertidor de analógico a digital del microprocesador ADS1258IRTCR 16-Channel 24-Bit del circuito integrado

  Número de parte:ADS1258IRTCR

  Número de pedazos:24

  Tasa de muestreo (por segundo):125k

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  Microprocesador de reguladores de Ethernet del microprocesador AQC113-B1-I 10Gbps PCIe del circuito integrado FCBGA224

  Número de parte:AQC113-B1-I

  GEN 3:GEN 3 x2

  GEN 2:GEN 2 x2

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  MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador SCT1000N170AG HiP247 del circuito integrado de SIC

  Número de parte:SCT1000N170AG

  Disipación de poder total en TC = °C 25:96W

  Gama de temperaturas de almacenamiento:-55 °C al °C 200

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  Chip CI del microprocesador HU3PAK 1200V 63mΩ del circuito integrado de los MOSFETs SCT070HU120G3AG SIC de SIC

  Número de parte:SCT070HU120G3AG

  Voltaje de la Dren-fuente:1200V

  Corriente del dren (pulsada):100A

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  MOSFET del poder del carburo de silicio del ² PAK-7 del microprocesador SCT070H120G3AG H del circuito integrado de 30A SIC

  Número de parte:SCT070H120G3AG

  Voltaje de la Dren-fuente:1200V

  Voltaje de la Puerta-fuente:-10V a 22V

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  Chip CI del microprocesador HU3PAK del circuito integrado del MOSFET SCT040HU65G3AG SIC del poder del carburo de silicio

  Número de parte:SCT040HU65G3AG

  Paquete:HU3PAK

  minuto del voltaje de avería de la Dren-fuente (VGS = 0 V, identificaciones = 1 mA):650 V

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