Porcelana Microprocesador del circuito integrado

De silicio del carburo MSC015SMA070B4 del canal N chips CI de los transistores TO-247-4 del MOSFET sic

Número de parte:MSC015SMA070B4

Corriente pulsada del dren:350A

Factor que reduce la capacidad normal linear:3.03W/°C
Transistores automotrices 650V del MOSFET del grado de los transistores IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Número de parte:IPBE65R075CFD7AATMA1

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:139 mOhms

Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 20 V, + 20 V
Transistores 8-PowerTDFN del MOSFET del canal N del microprocesador BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrado

Número de parte:BSZ036NE2LSATMA1

Temperatura de funcionamiento máximo:+ 150 C

Paladio - disipación de poder:37 W
Microprocesador del circuito integrado de los transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N IMBG65R030M1HXTMA1

Número de parte:IMBG65R030M1HXTMA1

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1643 PF @ 400 V

Disipación de poder (máxima):234W (Tc)
Microprocesador del circuito integrado de los transistores 8-PowerSFN del MOSFET del canal N IPT026N10N5ATMA1

Número de parte:IPT026N10N5ATMA1

Identificación (@ TC=25°C) - máximo:202 A

Identificación (@25°C) - máximo:202 A
Tipo transistores TO-263-8 del foso de IMBF170R450M1XTMA1 1700V del MOSFET del carburo de silicio

Número de parte:IMBF170R450M1XTMA1

Pin Count:7 pernos

Qg:11 nC
Microprocesador del circuito integrado de los transistores 8-PowerSFN del MOSFET del canal N IPT60R022S7XTMA1

Número de parte:IPT60R022S7XTMA1

Paquete/caso:HSOF-8

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:22 mOhms
Transistor del MOSFET del canal N del microprocesador BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN del circuito integrado

Número de parte:BSZ060NE2LSATMA1

Subcategoría:MOSFETs

Anchura:3,3mm
El canal N NVH4L160N120SC1 sic acciona los solos transistores TO-247-4 1200V del MOSFET

Número de parte:NVH4L160N120SC1

Temperatura de funcionamiento mínima:- 55°C

Paladio - disipación de poder:111 W
Transistores TW045N120C, transistores TO-247-3 del canal N del MOSFET del carburo de silicio de S1F

Número de parte:TW045N120C, S1F

Alto voltaje:VDSS = 1200 V

resistencia termal del Canal-a-caso (máxima):0.824°C/W
Transistores automotrices 5-PowerSFN del MOSFET de los transistores IAUA220N08S5N021 del canal N

Número de parte:IAUA220N08S5N021

Identificación de Vgs (th) (máximo) @:3.8V @ 120µA

Tipo del FET:Canal N
Chip de circuito integrado IAUZ40N06S5L050ATMA1 Transistor MOSFET automotriz de canal N de 5 mOhms

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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