Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado IPT030N12N3G Transistor MOSFET de potencia 120V en paquete TOLL

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPP65R090CFD7 650V N Canal de potencia MOSFET Transistor TO220

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado SH63N65DM6AG Mosfet Array 650V 53A Transistores MOSFET de potencia

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Transistores 600V 8PowerVDFN del MOSFET del poder del microprocesador STL24N60M6 del circuito integrado

Número de parte:STL24N60M6

Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs:23 nC @ 10 V

RDS (encendido) máximo:mΩ 209
Transistores 750V H2PAK-7 del MOSFET del poder del microprocesador SCT011H75G3AG del circuito integrado de SIC

Número de parte:SCT011H75G3AG

Voltaje de la Dren-fuente:750 V

Drene actual (continuo) en TC = el °C 25:110A
microprocesador HU2PAK-7 del circuito integrado de los transistores SCT018H65G3AG SIC del MOSFET del poder 55A

Número de parte:SCT018H65G3AG

Paquete:HU2PAK-7

Voltaje de la Puerta-fuente:-10V a 22V
Transistores lineares de los FETs de los transistores TO-247 del MOSFET del poder del canal N IXTH24N50L solos

Número de parte:IXTH24N50L

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:160 nC @ 20 V

Disipación de poder (máxima):400W (Tc)
Transistores del MOSFET del poder del carburo de silicio del microprocesador MSC040SMA120B del circuito integrado

número de parte:MSC040SMA120B

Temperatura de funcionamiento mínima:- 55C

Paladio:311 W
Transistores TO-263-8 del MOSFET del poder del microprocesador IMBG65R163M1HXTMA1 del circuito integrado

Número de parte:IMBG65R163M1HXTMA1

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):18V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:217mOhm @ 5.7A, 18V
Transistor 8-PowerSFN del MOSFET del poder del microprocesador IPT020N10N5ATMA1 100V del circuito integrado

Número de parte:IPT020N10N5ATMA1

Disipación de poder (máxima):273W (Tc)

Tipo del FET:Canal N
Microprocesador del circuito integrado de los transistores BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET del poder

Número de parte:BSZ050N03LSGATMA1

Paladio - disipación de poder:50W

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:35 nC @ 10 V
El canal N SCT3040KW7TL sic acciona el microprocesador del circuito integrado de los transistores TO-263-8 del MOSFET

Número de parte:SCT3040KW7TL

Paladio - disipación de poder:267 W

Modo del canal:Aumento

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