Porcelana Microprocesador del circuito integrado

• 

  Sensor actual de effecto hall electrónico de los circuitos integrados TMCS1107A3BQDRQ1

  Número de parte:TMCS1107A3BQDRQ1

  Voltaje - fuente:3V ~ 5.5V

  Polarización:Bidireccional

  Contactar ahora
• 

  Soporte superficial de Hall Effect Current Sensor IC del canal TMCS1101A2UQDRQ1 1

  Número de parte:TMCS1101A2UQDRQ1

  Linearidades:el ±0.05%

  Salida:Radiométrico, voltaje

  Contactar ahora
• 

  Solo microprocesador del circuito integrado de los transistores SCT3060AW7TL de los MOSFETs del canal N

  Número de parte:SCT3060AW7TL

  Drene - el voltaje de la fuente:650 V

  Corriente continua del dren:38 A

  Contactar ahora
• 

  Transistores de los MOSFETs del canal N del microprocesador SCT3160KW7TL 17A del circuito integrado solos

  Número de parte:SCT3160KW7TL

  Montaje del tipo:Soporte superficial

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:42 nC @ 18 V

  Contactar ahora
• 

  El canal N automotriz del grado de los transistores SCT2160KEHRC11 sic acciona MOSFET TO-247-3

  Número de parte:SCT2160KEHRC11

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:62 nC @ 18 V

  Vgs (máximo):+22V, -6V

  Contactar ahora
• 

  Transistores superficiales del soporte del microprocesador SCT3030AW7TL TO-263-7 del circuito integrado

  Número de parte:SCT3030AW7TL

  Tipo del FET:Canal N

  Situación del producto:Activo

  Contactar ahora
• 

  El canal N 750V 105A SCT4013DEC11 sic acciona el MOSFET a través del agujero TO-247N

  Número de parte:SCT4013DEC11

  Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

  Drene al voltaje de la fuente (Vdss):750 V

  Contactar ahora
• 

  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs del canal N del microprocesador SCT4045DRC15 del circuito integrado

  Número de parte:SCT4045DRC15

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:45 mOhms

  Paladio - disipación de poder:115 W

  Contactar ahora
• 

  De los transistores SCT4036KW7TL del MOSFET 4to de la generación MOSFET 1200V 36mohm 40A sic

  Número de parte:SCT4036KW7TL

  Categoría de producto:MOSFET

  Polaridad del transistor:Canal N

  Contactar ahora
• 

  Transistores discretos del semiconductor del microprocesador SCT4062KRHRC15 del circuito integrado

  Número de parte:SCT4062KRHRC15

  Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

  Identificación - corriente continua del dren:26 A

  Contactar ahora
• 

  Transistores discretos de los MOSFETs de los FETs de los productos de semiconductor solos SCT3040KLGC11

  Número de parte:SCT3040KLGC11

  Drene al voltaje de la fuente:1200 V

  Carga de la puerta:107 nC

  Contactar ahora
• 

  canal N del microprocesador TO-263-8 del circuito integrado de los transistores SCT4062KW7HRTL de 1200V 24A

  Número de parte:SCT4062KW7HRTL

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1498 PF @ 800 V

  Disipación de poder (máxima):93W

  Contactar ahora