Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  productos de semiconductor discretos de los transistores IPDQ60R065S7XTMA1 de los MOSFETs 30A

  Número de parte:IPDQ60R065S7XTMA1

  Configuración:solo

  Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:100 ns

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  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs del carburo de silicio del microprocesador NVH4L060N090SC1 del circuito integrado

  Número de parte:NVH4L060N090SC1

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:87 nC @ 15 V

  Identificación de Vgs (th) (máximo) @:4.3V @ 5mA

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  Solo microprocesador del circuito integrado de los transistores de poder del canal N NVHL040N120SC1 sic 1200V

  Número de parte:NVHL040N120SC1

  Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:4,3 V

  Paladio - disipación de poder:348 W

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  Solos transistores de los MOSFETs del canal N superficial del soporte BSC050N10NS5ATMA1 100V

  Número de parte:BSC050N10NS5ATMA1

  Disipación de poder:3W (TA), 136W (Tc)

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

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  Paquete del MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF del microprocesador IPT004N03LATMA1 del circuito integrado

  Número de parte:IPT004N03LATMA1

  Tipo del FET:Canal N

  Tecnología:MOSFET (óxido de metal)

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  Tipo superficial 100V 90A del soporte del MOSFET del poder del canal N del transistor IPD068N10N3GATMA1

  Número de parte:IPD068N10N3GATMA1

  Identificación de Vgs (th) (máximo) @:3.5V @ 90µA

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:68 nC @ 10 V

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  Transistores de los MOSFETs del soporte superficial del P-canal 100V 38A de AUIRF5210STRL solos

  Número de parte:AUIRF5210STRL

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

  Altura:2,3 milímetros

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  Canal N 650V 32A del chip CI IPW65R075CFD7AXKSA1 a través de los transistores del agujero

  Número de parte:IPW65R075CFD7AXKSA1

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:68 nC @ 10 V

  Disipación de poder (máxima):171W (Tc)

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  microprocesador del circuito integrado de los transistores IPT019N08N5ATMA1 del soporte de la superficie del canal N 80V

  Número de parte:IPT019N08N5ATMA1

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:1,9 mOhms

  Tiempo de caída:17 ns

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  Transistores del soporte de la superficie del canal N del microprocesador IPL60R225CFD7AUMA1 del circuito integrado

  Número de parte:IPL60R225CFD7AUMA1

  Número de canales:1 canal

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:600 V

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  Transistores del P-canal 40V 180A del microprocesador IPB180P04P403ATMA2 del circuito integrado

  Número de parte:IPB180P04P403ATMA2

  Vgs (máximo):±20V

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

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  Solos transistores de los MOSFETs de IC Chip Through Hole TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1

  Número de parte:IMW65R072M1HXKSA1

  Disipación de poder (máxima):96W (Tc)

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

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