Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Microprocesador SCT3022KLGC11 1200V 95A 427W del circuito integrado a través de los transistores del agujero

  Número de parte:SCT3022KLGC11

  Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:28.6mOhm @ 36A, 18V

  Vgs (máximo):+22V, -4V

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  El canal N de SCT4045DW7HRTL 750V sic acciona el microprocesador del circuito integrado del MOSFET TO-263-8

  Número de parte:SCT4045DW7HRTL

  Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:31A (Tc)

  Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):18V

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  Transistores electrónicos del canal N 650 V 45A de los circuitos integrados SCTW35N65G2V

  Número de parte:SCTW35N65G2V

  Tipo del FET:Canal N

  Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

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  A través de los solos transistores de los MOSFETs del agujero TO-247-3 SCTWA90N65G2V-4 119A 565W

  Número de parte:SCTWA90N65G2V-4

  Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:24mOhm @ 50A, 18V

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:3380 PF @ 400 V

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  Transistores TO-247-3 del canal N 650V del microprocesador SCTWA90N65G2V del circuito integrado

  Número de parte:SCTWA90N65G2V

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:157 nC @ 18 V

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:3380 PF @ 400 V

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  H2PAK-7 transistores superficiales del carburo de silicio del canal N del soporte SCTH90N65G2V-7

  Número de parte:SCTH90N65G2V-7

  Tipo del FET:Canal N

  Identificación - corriente continua del dren:90 A

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  El microprocesador TO-263-7L del circuito integrado de los transistores SCT4026DW7HRTL del canal N sic acciona el MOSFET

  Número de parte:SCT4026DW7HRTL

  Polaridad del transistor:Canal N

  Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:750 V

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  Transistores D2PAK-7 28mOhm del canal N del microprocesador NVBG020N090SC1 del circuito integrado solos

  Número de parte:NVBG020N090SC1

  Tiempo de retraso de abertura típico:39 ns

  Tipo del transistor:1 canal N

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  Microprocesador TW070J120B, transistores TO-3P-3 del circuito integrado de los MOSFETs del canal N de S1Q

  Número de parte:TW070J120B, S1Q

  Alto voltaje:VDSS = 1200 V

  Voltaje de la Puerta-fuente:+25V/-10V

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  Transistores TO-247-3 TW015N120C, transistores 1200V de los MOSFETs de los FETs del canal N de S1F solos

  Número de parte:TW015N120C, S1F

  Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):18V

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:158 nC @ 18 V

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  Carburo de silicio MOS Transistors TW107N65C, chips CI del canal N TO-247-3 650V de S1F

  Número de parte:TW107N65C, S1F

  Qg - carga de la puerta:28 nC

  Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 10 V, + 25 V

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  Microprocesador TW027N65C, carburo del circuito integrado de silicio de los transistores TO-247-3 del canal N de S1F

  Número de parte:TW027N65C, S1F

  Categoría de producto:MOSFET

  Número de canales:1 canal

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