Porcelana Microprocesador del circuito integrado

El automóvil salta la parada de campo de AFGHL30T65RQDN IGBT 650V a través de los transistores del agujero

Número de parte:AFGHL30T65RQDN

Tipo de IGBT:Parada de campo

Poder - máximo:230,8 W
solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

Número de parte:AFGHL40T65SQ

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 40A

Resistencia termal junction−to−ambient:40°C/W
El automóvil salta de AFGHL40T65SQD de campo de la parada el solo IGBT transistor del foso IGBT 40A

Número de parte:AFGHL40T65SQD

Actual - colector pulsado (Icm):160 A

Temperatura de empalme máxima:TJ = 175°C
El automóvil del alto rendimiento salta los solos IGBT transistores de AFGH75T65SQ 650V

Número de parte:AFGH75T65SQ

Condición de prueba:400V, 40A, 6Ohm, 15V

Montaje del tipo:Soporte superficial
El automóvil salta los transistores 268W TO-247-3 de la parada de campo del foso de AFGHL50T65RQDN IGBT

Número de parte:AFGHL50T65RQDN

Voltaje transitorio de Gate−to−Emitter:±30V

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):650 V
El automóvil superficial de fines generales de los transistores del soporte AFGB40T65SQDN IGBT salta

Número de parte:AFGB40T65SQDN

Tipo:transistores

Situación del producto:Activo
El automóvil salta AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A cortocircuita los transistores clasificados FS4

Número de parte:AFGB40T65RQDN

Corriente de colector pulsada:160A

Corriente de colector:40A
Coloque solamente los transistores de IGBT AFGHL50T65SQ que el automóvil de TO-247-3 salta la parada de campo del foso 268W

Número de parte:AFGHL50T65SQ

Tipo de IGBT:Parada de trinchera

Corriente de colector pulsada:200A
El automóvil salta el soporte superficial TO-263-3 de los solos IGBT transistores de AFGB30T65SQDN

Número de parte:AFGB30T65SQDN

Voltaje del emisor de la puerta:- 20 V, + 20 V

Carga de la puerta:56 nC
el automóvil de 268W AFGHL50T65SQD salta la sola IGBT parada de campo del foso de los transistores 80A de 650V

Número de parte:AFGHL50T65SQD

Corriente de colector pulsada:200A

Disipación de poder @ TC = 25°C (máximos):268W
el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

Número de parte:AFGHL50T65SQDC

Voltaje de Collector−to−Emitter:650V

Voltaje de Gate−To−Emitter:±20V
El automóvil salta AFGB30T65RQDN IGBT para el paquete automotriz de los usos TO−263

Número de parte:AFGB30T65RQDN

Temperatura de empalme máxima:175°C

PAQUETE:TO−263

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solo IGBT transistor TO-247-3 de 28ns AFGHL40T65SQ a través de la parada de campo del foso del agujero 238W

El automóvil salta de AFGHL40T65SQD de campo de la parada el solo IGBT transistor del foso IGBT 40A

El automóvil del alto rendimiento salta los solos IGBT transistores de AFGH75T65SQ 650V

El automóvil salta los transistores 268W TO-247-3 de la parada de campo del foso de AFGHL50T65RQDN IGBT

El automóvil superficial de fines generales de los transistores del soporte AFGB40T65SQDN IGBT salta

El automóvil salta AFGB40T65RQDN IGBT 650V 40A cortocircuita los transistores clasificados FS4

Coloque solamente los transistores de IGBT AFGHL50T65SQ que el automóvil de TO-247-3 salta la parada de campo del foso 268W

El automóvil salta el soporte superficial TO-263-3 de los solos IGBT transistores de AFGB30T65SQDN

el automóvil de 268W AFGHL50T65SQD salta la sola IGBT parada de campo del foso de los transistores 80A de 650V

el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

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