Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Transistores superficiales del soporte del microprocesador SCT3030AW7TL TO-263-7 del circuito integrado

  Número de parte:SCT3030AW7TL

  Tipo del FET:Canal N

  Situación del producto:Activo

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  El canal N 750V 105A SCT4013DEC11 sic acciona el MOSFET a través del agujero TO-247N

  Número de parte:SCT4013DEC11

  Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

  Drene al voltaje de la fuente (Vdss):750 V

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  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs del canal N del microprocesador SCT4045DRC15 del circuito integrado

  Número de parte:SCT4045DRC15

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:45 mOhms

  Paladio - disipación de poder:115 W

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  De los transistores SCT4036KW7TL del MOSFET 4to de la generación MOSFET 1200V 36mohm 40A sic

  Número de parte:SCT4036KW7TL

  Categoría de producto:MOSFET

  Polaridad del transistor:Canal N

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  Transistores discretos del semiconductor del microprocesador SCT4062KRHRC15 del circuito integrado

  Número de parte:SCT4062KRHRC15

  Tecnología:SiCFET (carburo de silicio)

  Identificación - corriente continua del dren:26 A

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  Transistores discretos de los MOSFETs de los FETs de los productos de semiconductor solos SCT3040KLGC11

  Número de parte:SCT3040KLGC11

  Drene al voltaje de la fuente:1200 V

  Carga de la puerta:107 nC

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  canal N del microprocesador TO-263-8 del circuito integrado de los transistores SCT4062KW7HRTL de 1200V 24A

  Número de parte:SCT4062KW7HRTL

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1498 PF @ 800 V

  Disipación de poder (máxima):93W

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  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs de los FETs del microprocesador SCT3030ARC14 del circuito integrado solos

  Número de parte:SCT3030ARC14

  Montaje de estilo:A través del agujero

  Paquete/caso:TO-247-4

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  Transistores TO-247-3 de los MOSFETs de los FETs del microprocesador SCT3080ALGC11 del circuito integrado solos

  Número de parte:SCT3080ALGC11

  Voltaje de la impulsión:18V

  Modo del canal:Aumento

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  Transistores TO-247-3 de los MOSFETs del canal N del microprocesador SCT3030ALGC11 del circuito integrado

  Número de parte:SCT3030ALGC11

  Temperatura de funcionamiento mínima:- 55°C

  Temperatura de funcionamiento máximo:+ 175°C

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  Transistores de los MOSFETs del carburo de silicio del canal N del microprocesador SCT3105KRC14 del circuito integrado

  Número de parte:SCT3105KRC14

  Vgs (máximo):+22V, -4V

  Identificación - corriente continua del dren:24 A

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  TO-247-3 a través de los circuitos integrados electrónicos de los transistores SCT3120ALGC11 del agujero

  Número de parte:SCT3120ALGC11

  Voltaje recomendado de la impulsión:18V

  Corriente pulsada del dren:52A

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