Porcelana Microprocesador del circuito integrado

• 

  El canal N sic acciona los transistores del microprocesador TO-263-8 del circuito integrado del MOSFET SCT4062KW7TL

  Número de parte:SCT4062KW7TL

  Categoría de producto:MOSFET

  Tipo del FET:Canal N

  Contactar ahora
• 

  Microprocesador TO-247-3 650V del circuito integrado de la parada de campo del foso de IGBT IKW40N65ET7XKSA1

  Número de parte:IKW40N65ET7XKSA1

  Tipo de IGBT:Parada de campo del foso

  Energía que cambia:1.05mJ (encendido), 590µJ (apagado)

  Contactar ahora
• 

  Del circuito integrado solos IGBT transistores TO-247-3 del microprocesador IKW50N120CH7XKSA1

  Número de parte:IKW50N120CH7XKSA1

  Energía que cambia:2.33mJ (encendido), 1.12mJ (apagado)

  Tipo entrado:Estándar

  Contactar ahora
• 

  Transistores del carburo de silicio del canal N del microprocesador MSC025SMA120B del circuito integrado

  Número de parte:MSC025SMA120B

  Situación del producto:Activo

  Tipo del FET:Canal N

  Contactar ahora
• 

  Microprocesador del circuito integrado del MOSFET TO-268-3 de los transistores MSC180SMA120S del canal N sic

  Número de parte:MSC180SMA120S

  Vgs (máximo):+23V, -10V

  Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V

  Contactar ahora
• 

  módulo SOT-227-4 del MOSFET del poder del canal N del carburo de silicio 1200V MSC017SMA120J

  Número de parte:MSC017SMA120J

  Temperatura de funcionamiento mínima:- 55 C

  Paladio - disipación de poder:278 W

  Contactar ahora
• 

  Transistores TO-268-3 de los MOSFETs de los FETs del microprocesador MSC017SMA120S del circuito integrado solos

  Número de parte:MSC017SMA120S

  Disipación de poder (máxima):357W (Tc)

  Paquete del dispositivo del proveedor:D3PAK

  Contactar ahora
• 

  Soporte superficial de los transistores del canal N del microprocesador MSC040SMA120S del circuito integrado

  Número de parte:MSC040SMA120S

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)

  Identificación - Corriente continua del dren:64 A

  Contactar ahora
• 

  MOSFET TO-247-3 del poder del canal N del carburo de silicio del microprocesador MSC017SMA120B del circuito integrado

  Número de parte:MSC017SMA120B

  Montaje del tipo:A través del agujero

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:5280 PF @ 1000 V

  Contactar ahora
• 

  Transistores del soporte SOT-227 del chasis del canal N 1200 V 53A 208W de MSC040SMA120J

  Número de parte:MSC040SMA120J

  Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

  Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:PF 1990 @ 1000 V

  Contactar ahora
• 

  microprocesador TO-268-3 del circuito integrado del MOSFET MSC750SMA170S del poder del canal N 1700V

  número de parte:MSC750SMA170S

  Número de canales:1 canal

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:750 mOhmios

  Contactar ahora
• 

  Transistores TO-247-3 del microprocesador MSC080SMA120B del circuito integrado a través del agujero

  Número de parte:MSC080SMA120B

  Voltaje de avería de la Dren-fuente:1,2 kilovoltios

  Configuración:Solo

  Contactar ahora