Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Transistores automotrices TO-252-3 de los MOSFETs del grado del canal N IPD35N10S3L26ATMA1 100V

  Número de parte:IPD35N10S3L26ATMA1

  Tecnología:OptiMOS™-T

  RthJC (máximo):2,1 K/W

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  microprocesador 8-PowerTDFN del circuito integrado de los transistores BSZ100N03MSGATMA1 de los MOSFETs 30V

  Número de parte:BSZ100N03MSGATMA1

  Modo del canal:Aumento

  Serie:OptiMOS 3M

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  Transistores del canal N 650V 39A IMW65R048M1HXKSA1 del microprocesador del circuito integrado solos

  Número de parte:IMW65R048M1HXKSA1

  Tipo del FET:Canal N

  Situación del producto:Activo

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  Soporte superficial de los transistores IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 del canal N 650V 21A 114W

  Número de parte:IPB65R115CFD7AATMA1

  Voltaje de la impulsión:10V

  Drene al voltaje de la fuente:650 V

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  Solos transistores de los MOSFETs de IC Chip Through Hole TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1

  Número de parte:IMW65R072M1HXKSA1

  Disipación de poder (máxima):96W (Tc)

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

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  microprocesador del circuito integrado de los transistores IPT019N08N5ATMA1 del soporte de la superficie del canal N 80V

  Número de parte:IPT019N08N5ATMA1

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:1,9 mOhms

  Tiempo de caída:17 ns

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  Canal N 650V 32A del chip CI IPW65R075CFD7AXKSA1 a través de los transistores del agujero

  Número de parte:IPW65R075CFD7AXKSA1

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:68 nC @ 10 V

  Disipación de poder (máxima):171W (Tc)

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  Transistores de los MOSFETs del soporte superficial del P-canal 100V 38A de AUIRF5210STRL solos

  Número de parte:AUIRF5210STRL

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

  Altura:2,3 milímetros

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  Tipo superficial 100V 90A del soporte del MOSFET del poder del canal N del transistor IPD068N10N3GATMA1

  Número de parte:IPD068N10N3GATMA1

  Identificación de Vgs (th) (máximo) @:3.5V @ 90µA

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:68 nC @ 10 V

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  Transistores TO-247-4 de los MOSFETs del carburo de silicio del microprocesador NVH4L060N090SC1 del circuito integrado

  Número de parte:NVH4L060N090SC1

  Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:87 nC @ 15 V

  Identificación de Vgs (th) (máximo) @:4.3V @ 5mA

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  productos de semiconductor discretos de los transistores IPDQ60R065S7XTMA1 de los MOSFETs 30A

  Número de parte:IPDQ60R065S7XTMA1

  Configuración:solo

  Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:100 ns

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  El canal N automotriz del grado del microprocesador SCT4045DRHRC15 del circuito integrado sic acciona el MOSFET

  Número de parte:SCT4045DRHRC15

  Rds en - resistencia de la Dren-fuente:45 mOhms

  Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:- 4 V, + 21 V

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