Porcelana Microprocesador del circuito integrado

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  Transistores TO-220-3 10kHz solo IGBTs del microprocesador IXYP60N65A5 650V IGBT del circuito integrado

  Número de parte:IXYP60N65A5

  Serie:XPT™, GenX5™

  Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:1.35V @ 15V, 36A

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  Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

  Número de parte:RGT40TS65DGC13

  Paladio - disipación de poder:144W

  Corriente delantera del diodo (TC = 25°C):35A

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  Solos transistores IXYX40N250CHV TO-247-3 de IGBT a través del microprocesador del circuito integrado del agujero

  Número de parte:IXYX40N250CHV

  Actual - colector pulsado (Icm):380A

  Energía que cambia:11.7mJ (encendido), 6.9mJ (apagado)

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  Solos IGBT transistores electrónicos de los circuitos integrados IXYA30N120A4HV 106A

  Número de parte:IXYA30N120A4HV

  Configuración:Solo

  Paladio - disipación de poder:500 W

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  Circuitos integrados electrónicos IXYX50N170C 1700V 178A 1500W a través de los transistores del agujero

  Número de parte:IXYX50N170C

  Actual - colector (Ic) (máximo):178 A

  Actual - colector pulsado (Icm):460 A

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  Solos transistores del microprocesador TO-264-3 del circuito integrado de los transistores IXBK64N250 de IGBTs

  Número de parte:IXBK64N250

  Paquete/caso:TO-264-3

  Configuración:Solo

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  Solo IGBTs microprocesador del circuito integrado de los transistores TO-247-3 de los transistores IXBX50N360HV

  Número de parte:IXBX50N360HV

  Tiempo de recuperación reversa (trr):1,7 µs

  Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)

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  Del circuito integrado solos IGBTs transistores TO-247-3 del microprocesador IXBH32N300 a través del agujero

  Número de parte:IXBH32N300

  Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):3000 V

  Actual - colector (Ic) (máximo):80A

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  Microprocesador del circuito integrado de la parada de campo del foso de los transistores STGWA20H65DFB2 de IGBT TO-247-3

  Número de parte:STGWA20H65DFB2

  Voltaje VCEO del emisor del colector (máximo):650V

  Tiempo de recuperación reversa (trr):215 ns

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  Parada de campo automotriz de la puerta del foso del grado de los transistores STGWA60V60DWFAG de IGBT TO-247-3

  Número de parte:STGWA60V60DWFAG

  Tipo entrado:Estándar

  Carga de la puerta:314 nC

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  Transistores automotrices 650V del grado IGBT del microprocesador STG200M65F2D8AG del circuito integrado

  Número de parte:STG200M65F2D8AG

  Temperatura de empalme máxima:TJ = °C 175

  voltaje del Puerta-emisor:±20V

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  Chip de circuito integrado AIKB50N65DF5ATMA1 650V 50A IGBT automotriz Transistores discretos TO-263-3 Montado en la superficie

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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