Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Coloque solamente los transistores de IGBT AFGHL50T65SQ que el automóvil de TO-247-3 salta la parada de campo del foso 268W

Número de parte:AFGHL50T65SQ

Tipo de IGBT:Parada de trinchera

Corriente de colector pulsada:200A
El automóvil salta el soporte superficial TO-263-3 de los solos IGBT transistores de AFGB30T65SQDN

Número de parte:AFGB30T65SQDN

Voltaje del emisor de la puerta:- 20 V, + 20 V

Carga de la puerta:56 nC
el automóvil de 268W AFGHL50T65SQD salta la sola IGBT parada de campo del foso de los transistores 80A de 650V

Número de parte:AFGHL50T65SQD

Corriente de colector pulsada:200A

Disipación de poder @ TC = 25°C (máximos):268W
el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

Número de parte:AFGHL50T65SQDC

Voltaje de Collector−to−Emitter:650V

Voltaje de Gate−To−Emitter:±20V
El automóvil salta AFGB30T65RQDN IGBT para el paquete automotriz de los usos TO−263

Número de parte:AFGB30T65RQDN

Temperatura de empalme máxima:175°C

PAQUETE:TO−263
el automóvil 375W salta transistor de la parada de campo del foso de AFGHL75T65SQD IGBT el solo IGBT 650V

Número de parte:AFGHL75T65SQD

- Colector (Ic) - máximo actual:80A

Temperatura de funcionamiento (minuto):-55°C (TJ)
El solo automóvil de los transistores AFGY100T65SPD de IGBTs salta la parada de campo del foso TO-247-3

Número de parte:AFGY100T65SPD

Condición de prueba:400V, 100A, 5Ohm, 15V

TD (con./desc.) @ 25°C:36ns/78ns
el automóvil 120A salta la sola IGBTs parada de campo del foso de los transistores 650V IGBT de AFGY120T65SPD

Número de parte:AFGY120T65SPD

Actual - colector (Ic) (máximo):160 A

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:2.05V @ 15V, 120A
El automóvil salta el solo IGBT foso IGBT de la parada de campo de los transistores TO-247-3 de AFGY160T65SPD-B4

Número de parte:AFGY160T65SPD-B4

Carga de la puerta:245 nC

Tiempo de recuperación reversa (trr):132 ns
el automóvil 650V salta la parada de campo del foso de los transistores TO-3PN de FGA40T65SHD IGBT

Número de parte:FGA40T65SHD

Carga de la puerta:72,2 nC

Condición de prueba:400V, 40A, 6Ohm, 15V
650V el automóvil de los transistores AFGHL75T65SQDT salta los solos IGBTs transistores TO-247-3 de 80A

Número de parte:AFGHL75T65SQDT

Voltaje de saturación bajo:VCE (Sat) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 75 A

Poder (máximo):375 W
El automóvil salta los solos IGBT transistores de la parada de campo de FGA40N65SMD TO-3PN a través del agujero

Número de parte:FGA40N65SMD

Tipo de IGBT:Parada de campo

Actual - colector (Ic) (máximo):80A

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El automóvil salta el soporte superficial TO-263-3 de los solos IGBT transistores de AFGB30T65SQDN

el automóvil de 268W AFGHL50T65SQD salta la sola IGBT parada de campo del foso de los transistores 80A de 650V

el automóvil 650V salta los transistores TO-247-3 del foso IGBT de la parada de campo de AFGHL50T65SQDC

El automóvil salta AFGB30T65RQDN IGBT para el paquete automotriz de los usos TO−263

el automóvil 375W salta transistor de la parada de campo del foso de AFGHL75T65SQD IGBT el solo IGBT 650V

El solo automóvil de los transistores AFGY100T65SPD de IGBTs salta la parada de campo del foso TO-247-3

el automóvil 120A salta la sola IGBTs parada de campo del foso de los transistores 650V IGBT de AFGY120T65SPD

El automóvil salta el solo IGBT foso IGBT de la parada de campo de los transistores TO-247-3 de AFGY160T65SPD-B4

el automóvil 650V salta la parada de campo del foso de los transistores TO-3PN de FGA40T65SHD IGBT

650V el automóvil de los transistores AFGHL75T65SQDT salta los solos IGBTs transistores TO-247-3 de 80A

El automóvil salta los solos IGBT transistores de la parada de campo de FGA40N65SMD TO-3PN a través del agujero

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