Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado FDMC86340ET80 1 canal de potencia de mejora de transistores únicos

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IQE046N08LM5SC 99A 2.5W Transistores para automóviles

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPDQ65R040CFD7 Transistores de un solo canal N de 20 V para automóviles

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPTG054N15NM5 150V 17.5A Transistor de potencia MOSFET único

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPTG044N15NM5 Transistor de potencia de mejora de canal N

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado AIMW120R045M1 Transistor MOSFET de canal N 1200V 52A 228W

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IPT65R060CFD7 Transistor de canal N de MOSFET único para automóviles

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado IGO60R070D1 600 V CoolGaNTM Transistor de potencia en modo E

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado ISC012N04LM6 Transistor de mejora única de alto rendimiento

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Solo microprocesador del circuito integrado de los transistores 900V TO-247-3 de los FETs NTHL020N090SC1

Número de la parte:NTHL020N090SC1

Corriente pulsada del dren (TA = 25°C):472A

Carga ultrabaja de la puerta:QG (bebé) = 196 nC
Transistores de los MOSFETs del canal N 650V 24A del chip CI IPP65R099CFD7AAKSA1 solos

Número de la parte:IPP65R099CFD7AAKSA1

Vgs (máximo):± 20 V

Disipación de poder (máxima):127W (Tc)
PG-TO263-7-11 solos transistores superficiales del soporte IPBE65R145CFD7AATMA1 650V

Número de la parte:IPBE65R145CFD7AATMA1

Tecnología:MOSFET (óxido de metal)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:17A (Tc)

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Solo microprocesador del circuito integrado de los transistores 900V TO-247-3 de los FETs NTHL020N090SC1

Transistores de los MOSFETs del canal N 650V 24A del chip CI IPP65R099CFD7AAKSA1 solos

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