Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado FGH75T65UPD-F085 Transistores IGBT TO-247-3 Paraje de campo de zanja

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado FGH75T65UPD-F155 Parador de campo de zanja 650V Transistores IGBT

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Chip de circuito integrado FGH75T65SQDTL4 650V 150A Transistores IGBT únicos TO-247-4

Minimum Order Quantity:10

Precio:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
Chip de circuito integrado BSC010NE2LSI Transistor de N-canal MOSFET OptiMOSTM único

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado SY75612TWL 160MHz Fanout Buffer con salida habilitada VQFN-56

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
D2PAK-7 solos transistores de los FETs del canal N superficial del soporte NVBG080N120SC1

Número de la parte:NVBG080N120SC1

Número de canales:1 Canal

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:110 mOhms
Solos transistores del MOSFET 8-LFPAK del poder de los transistores NTMJS1D4N06CLTWG del canal N

Número de la parte:NTMJS1D4N06CLTWG

Voltaje de Gate−to−Source:20 V

Corriente de fuente (diodo del cuerpo):Las demás:
Transistores superficiales del soporte del microprocesador NVBG060N090SC1 D2PAK-7 del circuito integrado

Número de la parte:NVBG060N090SC1

Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Identificación - corriente continua del dren:44 A
Transistor 8PQFN del canal N del poder del microprocesador NTMFS011N15MC 150V del circuito integrado solo

Número de la parte:NTMFS011N15MC

Tamaño:5m m x 6m m

Disipación de poder (máxima):2.7W (TA), 147W (Tc)
paquete de los transistores D2PAK-7 del canal N de 650V 145A 500W NTBG015N065SC1 solo

Número de la parte:NTBG015N065SC1

Voltaje de la impulsión:15V, 18V

Disposición del poder:500W (Tc)
Transistores TO-247-4L del canal N del microprocesador NVH4L020N120SC1 del circuito integrado

Número de la parte:NVH4L020N120SC1

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):20 V

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:220 nC @ 20 V
Transistor de los FETs del microprocesador 8-LFPAK del circuito integrado de los transistores NVMJS2D5N06CLTWG solo

Número de la parte:NVMJS2D5N06CLTWG

Tipo de FET:N-canal

Envase / estuche:SOT-1205, 8-LFPAK56

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D2PAK-7 solos transistores de los FETs del canal N superficial del soporte NVBG080N120SC1

Solos transistores del MOSFET 8-LFPAK del poder de los transistores NTMJS1D4N06CLTWG del canal N

Transistores superficiales del soporte del microprocesador NVBG060N090SC1 D2PAK-7 del circuito integrado

Transistor 8PQFN del canal N del poder del microprocesador NTMFS011N15MC 150V del circuito integrado solo

paquete de los transistores D2PAK-7 del canal N de 650V 145A 500W NTBG015N065SC1 solo

Transistores TO-247-4L del canal N del microprocesador NVH4L020N120SC1 del circuito integrado

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