Porcelana Microprocesador del circuito integrado

Chip de circuito integrado 2EDN7534R conductores de puertas MOSFET de doble canal de lado bajo 5A TSSOP-8

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Chip de circuito integrado VNHD7008AYTR controladores de puertas H conductor de motor de puente

Cantidad de orden mínima:10

Precio:Contact for Sample

Detalles de empaquetado:Paquete estándar
Microprocesador del circuito integrado de los transistores BUK9Y13-60ELX LFPAK56 60V del MOSFET del canal N

Número de parte:BUK9Y13-60ELX

Disipación de poder (máxima):147W (TA)

Temperatura de funcionamiento (minuto):-55°C (TJ)
Solo microprocesador LFPAK33 del circuito integrado de los transistores BUK9M67-60ELX 60V del MOSFET de los FETs

Número de parte:BUK9M67-60ELX

Serie:Automoción, AEC-Q100

Tecnología:MOSFET (óxido de metal)
Solos transistores del MOSFET del nivel de la lógica del canal N de los chips CI BUK9M20-60ELX LFPAK33

Número de parte:BUK9M20-60ELX

Paquete/caso:SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

Montaje de estilo:SMD/SMT
Microprocesador del circuito integrado de los transistores NTBG060N065SC1 D2PAK-7 650V del MOSFET del canal N

Número de parte:NTBG060N065SC1

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:74 nC @ 18 V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:1473 PF @ 325 V
Transistores TO-263-8 del MOSFET del carburo de silicio del microprocesador NTBG025N065SC1 del circuito integrado

Número de parte:NTBG025N065SC1

Identificación - corriente continua del dren:106 A

Rds en - resistencia de la Dren-fuente:28,5 mOhms
Transistor del MOSFET del canal N del microprocesador NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V del circuito integrado

Número de parte:NTH4L075N065SC1

Carga ultrabaja de la puerta:QG (bebé) = 61 nC

Capacitancia de salida baja:Coss = 107 PF
transistores NTH4L025N065SC1 del MOSFET del canal N 650V a través de los chips CI del agujero TO-247-4

Número de parte:NTH4L025N065SC1

Temperatura de funcionamiento mínima:-55°C (TJ)

Paladio - disipación de poder:348 W
Microprocesador TO-247-3 del circuito integrado de los transistores NTHL020N120SC1 1200V del MOSFET del canal N

Número de parte:NTHL020N120SC1

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:2890 PF @ 800 V
sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V

Número de parte:IMBG120R045M1H

El cortocircuito soporta tiempo:3 µs

Voltaje de la puerta de la vuelta-apagado:0V
Transistores del MOSFET del foso del microprocesador IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V del circuito integrado sic

Número de parte:IMBG120R060M1H

Corriente pulsada del dren:94A

Disipación de poder, TC = 25°C:181W

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transistores NTH4L025N065SC1 del MOSFET del canal N 650V a través de los chips CI del agujero TO-247-4

Microprocesador TO-247-3 del circuito integrado de los transistores NTHL020N120SC1 1200V del MOSFET del canal N

sic transistores TO-263-8 del MOSFET del canal N del MOSFET IMBG120R045M1H del foso 1200V

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