Número de parte:SCT040H120G3AG
Tipo del RDS (encendido):mΩ 40
Tipo estático de la en-resistencia de la dren-fuente (VGS = 18 V, identificación = 16 A):40MΩ
Número de parte:SCT020H120G3AG
Disipación de poder total en TC = °C 25:555 W
Corriente del dren (pulsada):281 A
Número de parte:SCT012H90G3AG
Energía que cambia de la vuelta-apagado (tipo):889uJ
Tiempo de retraso de abertura (tipo):37ns
Número de parte:SCTWA70N120G2V
Tipo del FET:Canal N
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):1200 V
Número de parte:SCT040W120G3AG
Disipación de poder (máxima):312W
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:4.2V @ 5mA
Número de parte:MSC010SDA170B
Paquete/caso:TO-247-3
DC adelante actual TC (máximo) = °C 135:14A
Número de parte:ADC3644IRSBR
Número de convertidores del A/D:2
Arquitectura:SAR
Número de parte:ADC3583IRSBR
Número de pedazos:18
Ratio - ENVIANDO Y DIRIGIENDO: ADC:0:1
Número de parte:ADS1285IRHBR
Situación del producto:Activo
Número de pedazos:32
Número de parte:ADC3582IRSBR
Ancho de banda entrado:900 megaciclos (3dB)
Referencia:Externo o interno
Número de parte:ADC3683IRSBR
INL/DNL:±7/±0.7 LSB (tipo)
filtro digital del En-microprocesador:NCO de 32 bits
Cantidad de orden mínima:10
Precio:Contact for Sample
Detalles de empaquetado:Paquete estándar