Número de la parte:XA6SLX75T-2FGG484I
Número de laboratorios/CLBs:5831
Número de elementos de lógica/de células:74637
Número de parte:XC7A50T-2FGG484C
Retraso en la trayectoria de reacción (máxima):3 ns máximos o un ciclo de CLKIN
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 85°C (TJ)
Número de la parte:XA6SLX75T-3FGG484Q
Estilo de montaje:DSM/SMT
Bloque integrado RAM - EBR:kbit 3096
Número de parte:XC6SLX45-2FGG484C
RAM distribuido:kbit 401
Bloque integrado RAM - EBR:kbit 2088
Número de la parte:XA6SLX75T-2FGG484Q
Transmisor-receptor:2
Tarifas de datos:800 Mb/s
Número de la parte:XC7A75T-2FTG256C
Resistencia de serie del diodo de la temperatura (tipo):2Ω
RAM Bits total:3870720
Número de parte:XCVU190-2FLGB2104I
Resolución de cadena de IDELAY/ODELAY:2.5ps a 15 picosegundos
Retraso máximo en la trayectoria de reacción:5 ns máximos o un ciclo de reloj
Número de parte:XC7A75T-2FGG484I
Células de la lógica:215K
Bloque RAM:Mb 13
Número de la parte:XA6SLX9-2FTG256I
Subcategoría:Lógica programable ICs
Voltaje de fuente de funcionamiento:1.2 V
Número de la parte:XC7A75T-2FGG676C
Los conductores de la salida suministran el voltaje para los bancos de la entrada-salida de la hora:– 0.5V a 3.6V
Número de ciclos de CLK (máximos):21Cycles
Número de parte:XC6SLX150-2CSG484I
Voltaje de fuente de funcionamiento:1,2 V
Número de elementos de lógica:147443 LE
Número de la parte:XC7A75T-1FGG484C
Resistencia de entrada diferenciada de RIN (tipo):100Ω
Temperatura de almacenamiento (ambiente):– 65°C a 150°C