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Chip IC de memoria

Porcelana Chip IC de memoria

Chip de IC de memoria MT53E512M64D2HJ-046 WT:B 32Gbit paralelo 2.133 GHz 3.5 ns IC de memoria

Número de la parte:MT5E512M64D2HJ-046 WT:B

Voltagem - Suministro:1.06V ~ 1.17V

Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TC)
Chip de IC de memoria MT62F1G64D4CZ-026 WT:C IC de memoria 64Gbit LPDDR5X Chip de memoria SDRAM

Número de la parte:MT2F1F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F

Tamaño de la memoria:64Gbit

Ancho del bus de datos:64 bits
Chip IC de memoria MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:C 48Gbit SDRAM para automóviles LPDDR5X Memoria

Número de la parte:MT2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2

El tipo:SDRAM - LPDDR5

Tamaño de la memoria:48 Gbit
Chip de circuito integrado de memoria MT25QL128ABA8ESF-0SIT 16-SOIC FLASH o circuito integrado de memoria 128Mbit

Número de la parte:MT25QL128ABA8ESF-0SIT

Serie:MT2 - Cuota de mercado

Tipo de producto:NI memoria Flash
Chip de IC de memoria MT62F3G32D8DV-023 AIT:C 96Gbit Automotriz LPDDR5 IC de memoria LFBGA-315

Número de la parte:MT2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A

Frecuencia del reloj:4,266 gigahertz

Voltagem - Suministro:1.01V ~ 1.12V
Chip de IC de memoria MT62F768M64D4CZ-026 WT:C 48Gbit LPDDR5 Memoria para dispositivos móviles y IA

Número de la parte:MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4

Tamaño de la memoria:48 Gbit

Organizaciones:768 M x 64
Chip de IC de memoria MT62F3G32D8DV-023 AAT:C 96Gbit SDRAM - Chip de memoria LPDDR5 móvil

Número de la parte:MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F

Formato de memoria:Dispositivos de almacenamiento

Tecnología:SDRAM - LPDDR5 móvil
Chip IC de memoria MT53E1G32D2FW-046 AUT:A 32Gbit paralelo a 2,133 GHz Memoria LPDDR4X

Número de la parte:MT5E1G32D2FW-046 AUT:A

Tamaño de la memoria::32 Gbit

Anchura del ómnibus de datos::pedazo 32
IC de memoria Chip MT62F512M64D4EK-031 AUT:B 3,2 GHz SDRAM IC de memoria móvil LPDDR5

Número de la parte:MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M

Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 125 °C

Tamaño de la memoria:32Gbit
Chip IC de memoria MT46H16M32LFB5-6 AIT:C 512Mbit paralelo 166 MHz 5 ns Memoria LPDDR

Número de la parte:MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M

Voltagem - Suministro:1.7V ~ 1.95V

Frecuencia del reloj:166 MHz
Chip de IC de memoria MT53E1G16D1FW-046 AAT:A SDRAM móvil de 16Gbit paralelo con 2,133 GHz

Número de la parte:MT5A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A1A

Temperatura mínima de funcionamiento::- 40 ° C.

Temperatura máxima de funcionamiento::+ 105 C
Chip de IC de memoria MT53E128M32D2DS-046 AIT:A LPDDR4 4Gbit 2,133 GHz IC de memoria

Número de la parte:MT5204m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2m2

Tamaño de la memoria:4Gbit

Organización de la memoria:el 128M x 32

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Chip de IC de memoria MT62F1G64D4CZ-026 WT:C IC de memoria 64Gbit LPDDR5X Chip de memoria SDRAM

Chip IC de memoria MT62F1536M32D4DS-023 FAAT:C 48Gbit SDRAM para automóviles LPDDR5X Memoria

Chip de circuito integrado de memoria MT25QL128ABA8ESF-0SIT 16-SOIC FLASH o circuito integrado de memoria 128Mbit

Chip de IC de memoria MT62F3G32D8DV-023 AIT:C 96Gbit Automotriz LPDDR5 IC de memoria LFBGA-315

Chip de IC de memoria MT62F768M64D4CZ-026 WT:C 48Gbit LPDDR5 Memoria para dispositivos móviles y IA

Chip de IC de memoria MT62F3G32D8DV-023 AAT:C 96Gbit SDRAM - Chip de memoria LPDDR5 móvil

Chip IC de memoria MT53E1G32D2FW-046 AUT:A 32Gbit paralelo a 2,133 GHz Memoria LPDDR4X

IC de memoria Chip MT62F512M64D4EK-031 AUT:B 3,2 GHz SDRAM IC de memoria móvil LPDDR5

Chip IC de memoria MT46H16M32LFB5-6 AIT:C 512Mbit paralelo 166 MHz 5 ns Memoria LPDDR

Chip de IC de memoria MT53E1G16D1FW-046 AAT:A SDRAM móvil de 16Gbit paralelo con 2,133 GHz

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