Número de la parte:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E
Organización de la memoria:64G x 8
Anchura del ómnibus de datos:pedazo 8
Número de la parte:MT29F1T08EELEEJ4-T: E
Tecnología:FLASH - NAND (TLC)
Organización:128 G x 8
Número de la parte:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F
Organización de la memoria:1G x 1
Interfaz de memoria:El SPI
Número de la parte:MT29F8T08EWLEEM5-R: E
Voltaje de fuente - minuto:1,7 V
Voltaje de fuente - máximo:1,95 V
Número de la parte:MT25QL128ABA1EW7-0SIT
Humedad sensible:- Sí, es cierto.
Formato de memoria:El flash.
Número de la parte:MT3A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A2A
Categoría de productos:NI de destello
Tamaño de la memoria:2 Gbit
Número de la parte:MT29F8T08EWLEEM5-T: E
Organización:1T x 8
Interfaz:En paralelo
Número de la parte:MT25QU02GCBB8E12-0SIT
Voltado de alimentación - Min:1.7 V
Voltaje de fuente - máximo:2 V
Número de la parte:MT25QL512ABB8ESF-0AAT
Organización de la memoria:los 64M x 8
Voltagem - Suministro:2.7V ~ 3.6V
Número de la parte:MT35XU512ABA1G12-0SIT
RDA:200 MHz
Densidad:512MB
Número de la parte:MT2democratización de los Estados miembros
Organización:1 G x 1/512 M x 2/256 M x 4
Humedad sensible:- Sí, es cierto.
Número de la parte:PESO MT62F768M64D4EK-023: C
Paquete:441-ball TFBGA
Tamaño:14.0m m x 14.0m m