Porcelana Chip IC de memoria

Chip Integrated Circuit MT53E512M32D1ZW-046 AUT: Memoria SDRAM-móvil IC de B

Número de parte:MT53E512M32D1ZW-046 AUT: B

Tipo de la memoria:Volátil

Formato de la memoria:COPITA
Chip de IC de memoria MT41K64M16TW-107 AUT:J Automotriz DDR3L SDRAM 96FBGA IC de memoria

Número de la parte:MT41K64M16TW-107 AUT: J

Tiempo de acceso:20 ns

Voltagem - Suministro:1.283V ~ 1.45V
SDRAM - DDR4 memoria IC MT40A4G8NEA-062E: F DDR4 32G 4GX8 FBGA DDP

Número de parte:MT40A4G8NEA-062E: F

Categoría de producto:COPITA

Tiempo de acceso:13,75 ns
PESO del microprocesador MT53E512M32D1NP-046 del circuito integrado: COPITA de la MEMORIA de IC 200WFBGA IC de la memoria de B

Número de parte:PESO MT53E512M32D1NP-046: B

Paquete/caso:200-WFBGA

Tamaño:10m m x 14.5m m
PESO móvil de IC MT62F1G64D8CH-031 de la memoria LPDDR5 de SDRAM: Microprocesador del circuito integrado de B BGA496

Número de parte:PESO MT62F1G64D8CH-031: B

Tamaño de la memoria:64Gbit

Organización de la memoria:1G x 64
Microprocesador MT40A2G8SA-062E las TIC del circuito integrado: Chip CI de IC 78FBGA de la memoria de F SDRAM DDR4

Número de parte:MT40A2G8SA-062E LAS TIC: F

Tamaño:7.5m m x 11m m

Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página:15ns
Microprocesador MT40A1G16TB-062E las TIC del circuito integrado: Chip de memoria de IC 96FBGA 16Gbit de la memoria de F SDRAM DDR4

Número de parte:MT40A1G16TB-062E LAS TIC: F

Tecnología:SDRAM - DDR4

Pseudo entrada-salida del abierto-dren:1.2V
Microprocesador MT40A1G16KH-062E AIT del circuito integrado: E 1,6 memoria IC de la COPITA DDR4 del gigahertz

Número de parte:MT40A1G16KH-062E AIT: E

Tipo:SDRAM - DDR4

Anchura del ómnibus de datos:pedazo 16
Memoria de la COPITA del microprocesador 512Mb del circuito integrado S80KS5122GABHA023 con el interfaz de HYPERBUS

Número de la parte:S80KS5122GABHA023

Interfaz de memoria:HyperBus

Frecuencia del reloj:200 MHz
Memoria IC MT40A512M16LY-062E AAT de SDRAM DDR4: Paralelo del microprocesador 8Gbit del circuito integrado de E

Número de parte:MT40A512M16LY-062E AAT: E

Voltaje - fuente:1.14V ~ 1.26V

Formato de la memoria:COPITA
Soporte superficial de IC 64Mbit 24-VBGA de la memoria de HyperRAM de la COPITA S27KS0642GABHV020

Número de la parte:S27KS0642GABHV020

Voltaje de fuente - máximo:2 V

Voltaje de fuente - minuto:1,7 V
COPITA 24-FBGA 64Mbit HyperBus de Chips Self Refresh de la memoria de S27KS0642GABHI033 200MHz

Número de la parte:S27KS0642GABHI033

Organización de la memoria:8M x 8

Ancho de banda del interfaz:400 MByte/s

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Memoria de la COPITA del microprocesador 512Mb del circuito integrado S80KS5122GABHA023 con el interfaz de HYPERBUS

Memoria IC MT40A512M16LY-062E AAT de SDRAM DDR4: Paralelo del microprocesador 8Gbit del circuito integrado de E

Soporte superficial de IC 64Mbit 24-VBGA de la memoria de HyperRAM de la COPITA S27KS0642GABHV020

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