Porcelana GaN IC

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  Chip de carga rápida SC2004QDER USB PD Controller para protocolo de carga rápida QFN32

  Número de parte:SC2004QDER

  Canales:Hasta 6 canales

  Amplio rango de funcionamiento (Min):2,7 V

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  Chip de carga rápida SC2012CQDKR Controlador PD IC QFN20 Altamente integrado

  Número de parte:SC2012CQDKR

  Paquete:QFN20

  Rango VBUS (mínimo):2,7 V

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  Chip de carga rápida de 400mA SC2150ACFFR USB PD Protocol Chip WLCSP-9

  Número de parte:SC2150ACFFR

  Resistencias de tracción:5 kΩ

  capacidad actual:400MA

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  Chip controlador SC2003QDER DPDM altamente integrado QFN32 Chip de carga rápida

  Número de parte:SC2003QDER

  Paquete:QFN32

  Regulación de voltaje DAC:10 bits

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  Chip de carga rápida SC2021AQDER QFN32 PD Chip de protocolo de carga rápida

  Número de parte:SC2021AQDER

  Paquete:QFN32

  MTP:32kBytes

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  Protocolos de carga rápida SC2011CQDKR USB PD Controller IC QFN20 SC2011C

  Número de parte:SC2011CQDKR

  Escribe:Controlador IC USB PD

  Paquete:QFN20

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  Chip controlador SC2010A QFN32 de administración de energía IC SC2010AQDER USB PD

  Número de la parte:SC2010AQDER

  Paquete:QFN32

  Tamaño:4 mm x 4 mm

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  Conductores llenos laterales bajos IC VQFN52 del puente del microprocesador LMG3522R030RQSR del circuito integrado medios

  Número de parte:LMG3522R030RQSR

  Control-apagado del FET:200V/ns

  Frecuencia que cambia:2MHz

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  Los conductores de puente completo de GaN LMG3522R030RQSR 650V 38A VQFN52

  Cantidad de orden mínima:10

  Precio:Contact for Sample

  Detalles de empaquetado:Paquete estándar

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  GaN IC IGLD60R070D1AUMA3 N-Canal 600V 15A Transistor de modo de mejora 8-LDFN

  Número de la parte:Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de

  Vgs (máximo):-10 V

  Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:

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  Transistor de potencia en modo de mejora de GaN IGLR60R340D1XUMA1 600V

  Número de la parte:El objetivo de las pruebas de detección es el seguimiento de los resultados obtenidos.

  Tipo de FET:N-canal

  Tecnología:GaNFET (nitruro de galio)

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  Transistor de potencia GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 de canal N de refrigeración GaN 8-LDFN montado en la superficie

  Número de la parte:El número de unidades de la serie IGLD60R190D1AUMA1

  Vgs(th) (máximo) @ Id:1.6V @ 960μA

  Vgs (máximo):-10 V

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