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Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Name: Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FS03MR12A6MA1BBPSA1
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Ampliación de imagen : Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	FS03MR12A6MA1BBPSA1
Documento:	FS03MR12A6MA1BBPSA1.pdf

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Descripción

Número de la parte:	FS03MR12A6MA1BBPSA1	Característica del FET:	Carburo de silicio (SiC)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	1200 V (1,2 kV)	Potencia - máximo:	20 mW
Temperatura de funcionamiento:	-40 °C ~ 150 °C (TJ)	Tipo de montaje:	Montura del chasis
Resaltar:	El motor conduce sic Mosfet IGBT , Sic canal del Mosfet IGBT 6N , Canal de los módulos 6N de IGBT 400A 1200V

Los módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Canal 3 Puente de fase

Descripción detallada del FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1 es un módulo de seis paquetes muy compacto (1200V/400A) optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa el nuevo CoolSiCTM Automotive MOSFET 1200V,Optimizado para aplicaciones de tren motriz eléctrico.

Las características del producto del FS03MR12A6MA1BBPSA1

Número de la parte:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Tipo de FET:	6 Canal N (puente de 3 fases)
Tipo de montaje:	Montura del chasis	Potencia - máximo:	20 mW
Temperatura de funcionamiento (min):	-40 °C (TJ)	Temperatura de funcionamiento (max):	150°C (TJ)

Características del FS03MR12A6MA1BBPSA1

Características eléctricas
VDSS = 1200 V
Identificador de identificación = 400 A
Nuevo material para semiconductores: carburo de silicio
Baja RDSon
Bajas pérdidas por cambio
Bajo Qg y Crss
Diseño de baja inducción < 10nH
Tvj op = 150 °C
Características mecánicas
4.2 kV CC 1 segundo Aislamiento
Alta velocidad de arrastramiento y distancias de salida
Diseño compacto
Alta densidad de energía
Placa de base PinFin enfriada directamente
Cerámica de alto rendimiento Si3N4
Elementos de guía para PCB y ensamblaje de enfriadores
Sensor de temperatura NTC integrado
Tecnología de contacto PressFIT
Compatible con la Directiva RoHS
Cuadro del módulo UL 94 V0
Aplicaciones potenciales

Aplicaciones automotrices del FS03MR12A6MA1BBPSA1

Vehículos eléctricos híbridos (H) EV
Dispositivos de motor
Vehículos agrícolas comerciales

Descripción del FS03MR12A6MA1BBPSA1

Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge 0

Preguntas frecuentes
¿Sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nueva importación original es nuestro propósito.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede apoyar el pedido de pequeñas cantidades o la muestra? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, apoyamos el pedido de muestras y el pequeño pedido. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
¿Cómo envío mi pedido? ¿Es seguro?
R: Utilizamos el expreso para el envío, como DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su agente de envío sugerido.Los productos estarán en buen embalaje y garantizar la seguridad y somos responsables de los daños del producto a su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas de stock dentro de 5 días hábiles. Si no hay stock, confirmaremos el tiempo de entrega para usted en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

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Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

El motor conduce sic Mosfet IGBT

Sic canal del Mosfet IGBT 6N

Canal de los módulos 6N de IGBT 400A 1200V

Módulos automotrices 400A de IGBT,

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