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módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Name: módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Ampliación de imagen : módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Fábrica original
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Descripción

Drene al voltaje de la fuente (Vdss):	1200V (1.2kV)	Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:	400A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:	3.7mOhm @ 400A, 15V	Identificación de Vgs (th) (máximo) @:	5.55V @ 240mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	1320nC @ 15V	Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:	42.5nF @ 600V
Poder - máximo:	20mW	Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Resaltar:	Módulos automotrices 1200V de IGBT , Módulos automotrices 400A de IGBT , sic módulo del Mosfet 400A

Módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A de IGBT

Descripción detallada

FS03MR12A6MA1LBBPSA1 es un módulo muy compacto del caja de seis (1200V/400A) optimizó para el híbrido y los vehículos eléctricos. El módulo de poder ejecuta el nuevo MOSFET automotriz 1200V de CoolSiC™, optimizado para los usos eléctricos del tren de la impulsión.

Cualidades de producto

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N 6 (puente trifásico)
Característica del FET	Carburo de silicio (sic)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	400A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	3.7mOhm @ 400A, 15V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5.55V @ 240mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	1320nC @ 15V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	42.5nF @ 600V
Poder - máximo	20mW
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte del chasis
Paquete/caso	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	AG-HYBRIDD-2

Resumen de características

Características eléctricas
Nuevo material del semiconductor - carburo de silicio
Voltaje de bloqueo 1200V
RDSon bajo
Pérdidas que cambian bajas
Og y Crss bajos
Diseño inductivo bajo <10nh>
Op= 150°C del vj de T
Características mecánicas
aislamiento de 4.2kV DC 1sec
Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación
Diseño compacto
Densidad de poder más elevado
Embase refrescado directo de PinFin
Alto rendimiento Si3N4 de cerámica
Elementos de guía para el PWB y una asamblea más fresca
Sensor de temperatura integrado de NTC
Tecnología del contacto PressFIT
RoHS obediente
Marco de módulo V0 de la UL 94

Ventajas

Diseño compacto
Embase refrescado directo
Elementos de guía para el PWB y una asamblea más fresca
Sensor de temperatura integrado de NTC
Tecnología del contacto PressFIT
RoHS complient
Confiabilidad superior
Etiquetas largas para el sentido actual
Usos potenciales

Usos automotrices

Vehides eléctrico híbrido (H) EV
Impulsiones del motor
Vehículos comerciales de la agricultura
Inversor principal

FAQ
Q. ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Número de la parte: FS03MR12A6MA1BBPSA1

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Potencia - máximo: 20 mW

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

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sic módulo del Mosfet 400A

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