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Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module
Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Ampliación de imagen :  Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: A2U12M12W2-F2
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días laborales
Condiciones de pago: T/T, LC, Western Union

Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

Descripción
Número de parte: A2U12M12W2-F2 Paquete: Módulo
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce: 7 nF a 800 V Temperatura de funcionamiento: 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Soporte del chasis Configuración: Inversor de tres niveles

Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module

 

Descripción de A2U12M12W2-F2

A2U12M12W2-F2 es un módulo de potencia que representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la avanzada tecnología MOSFET de potencia de carburo de silicio.Este módulo A2U12M12W2-F2 aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de banda prohibida ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico.El resultado es una resistencia excepcionalmente baja por unidad de área y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.

 

Atributos del producto de A2U12M12W2-F2

Módulos de carburo de silicio IGBT

Puente completo

Sic

1200 V

-10 V a 22 V

ajuste a presión

- 40C

+ 150C

 

Todas las características de A2U12M12W2-F2
topología de 3 niveles
Módulo de potencia ACEPACK 2
13 mΩ de RDS típico (encendido) cada interruptor
Tensión de aislamiento certificada por UL de 2,5 kVrms
Sensor de temperatura NTC integrado
Basado en DBC Cu-Al2O3-Cu
Pasadores de contacto de ajuste a presión

 

Topología eléctrica y descripción de pines de A2U12M12W2-F2

Módulos IGBT automotrices A2U12M12W2-F2 Topología de 3 niveles 1200V SiC Power MOSFET Power Module 0

 

Preguntas más frecuentes

P. ¿Sus productos son originales?

R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.

P: ¿Qué certificados tienes?

R:Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.

P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?

R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.

P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?

R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.

P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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