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módulo automotriz de los transistores de los módulos DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

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Ampliación de imagen :  módulo automotriz de los transistores de los módulos DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: DF11MR12W1M1B11BPSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

módulo automotriz de los transistores de los módulos DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT

Descripción
Número de parte: DF11MR12W1M1B11BPSA1 Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 124nC @ 15V
Poder - máximo: 20 mW Montaje del tipo: Montaje en chasis
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ) Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 3680pF @ 800V

módulo automotriz de los transistores de los módulos DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel de 1200V IGBT


Descripción de producto de DF11MR12W1M1B11BPSA1

DF11MR12W1M1B11BPSA1 es módulo del aumentador de presión de 1200 V/11 mΩ con el MOSFET de CoolSiC™, NTC y tecnología del contacto PressFIT, con el grado actual aumentado de los diodos de CoolSiC™ Schottky en la etapa del alza a tener en cuenta una corriente de entrada más alta de los paneles del picovoltio.


Especificación de DF11MR12W1M1B11BPSA1

Número de parte DF11MR12W1M1B11BPSA1
Tecnología
Carburo de silicio (sic)
Configuración
Canal N 2 (dual)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
50A (Tj)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
22.5mOhm @ 50A, 15V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
5.55V @ 20mA

 

Características de DF11MR12W1M1B11BPSA1

  • Densidad de gran intensidad
  • Sensor de temperatura integrado de NTC
  • Diseño inductivo bajo
  • Tecnología del contacto PressFIT
  • Mejor en pérdidas de la transferencia y de la conducción de la clase

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
BQ294522DRVR QFN
LMX2531LQ2080E QFN
AD9523-1BCPZ QFN
ISP1568AHLUM TQFP
BD2610GW BGA
FH8065301685597 BGA

 

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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