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Inicio Productos Módulos automotrices de IGBT

Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

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Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

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Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Ampliación de imagen : Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Descripción

Número de parte:	DF23MR12W1M1PB11BPSA1	Tecnología:	Carburo de silicio (sic)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):	1200 V (1,2 kV)	Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:	45mOhm @ 25A, 15V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:	25A (Tj)	Configuración:	Canal N 2 (dual)

Módulos automotrices 20mW 2N-Channel del carburo de silicio DF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT

Descripción de producto de DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 es módulo del MOSFET del aumentador de presión 1200 V CoolSiC™, 2 transistores (duales) del canal N, módulo del carburo de silicio (sic).

Especificación de DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Número de parte	DF23MR12W1M1PB11BPSA1
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	62nC @ 15V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1840pF @ 800V
Poder - máximo	20mW
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte del chasis
Paquete/caso	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	AG-EASY1B-2

Características de DF23MR12W1M1PB11BPSA1

GEN 5 del diodo de CoolSiC Schottky fresca
Densidad de gran intensidad
Sensor de Integrierter NTC Temperatur

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
Z3735D	BGA
XC1900A-20SR	SMD
CLC014AJE-TR13	COMPENSACIÓN
CY7B9334-270JXCT	PLCC
PT2222-001	COMPENSACIÓN
MAX6071UNT25	SOT-6

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Módulos automotrices 400A de IGBT,

Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Módulo 1200V del polvo de IGBT

Contacto

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Sobre

Microprocesador del circuito integrado: VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16; ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales; LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet: PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196; PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe; Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad

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