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módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
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Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Ampliación de imagen :  módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: DF23MR12W1M1B11BPSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT

Descripción
Número de parte: DF23MR12W1M1B11BPSA1 VDSS: 1200V
Nom de la identificación: 25A IDRM: 50A
Configuración: Canal N 2 (dual) Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (tipo)

módulos automotrices del MOSFET del carburo de silicio de los módulos DF23MR12W1M1B11BPSA1 de 20mW IGBT


Descripción de producto de DF23MR12W1M1B11BPSA1

DF23MR12W1M1B11BPSA1 es módulos del MOSFET del carburo de silicio, arsenal 1200V, soporte del Mosfet del chasis.


Especificación de DF23MR12W1M1B11BPSA1

Número de parte DF23MR12W1M1B11BPSA1
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
25A (Tj)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
45mOhm @ 25A, 15V (tipo)
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
5.55V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
62nC @ 15V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1840pF @ 800V

 

Características de DF23MR12W1M1B11BPSA1

  • La eficacia más alta para reducido el refrescar de esfuerzo
  • Una operación más alta de la frecuencia
  • Densidad de poder creciente
  • Duración y coste de ciclo del desarrollo del cliente optimizado

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
TPS826745SIPR USIP8
CY7C1512KV18-250BZXI BGA
NPH10S4803IC INMERSIÓN
NMG0505SC SORBO
78615/8MC SMD
78613/8JC SMD

 

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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