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MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT
MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

Ampliación de imagen :  MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: DF11MR12W1M1PB11BPSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT

Descripción
Número de parte: DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Serie: EasyPACK™
Temperatura de funcionamiento (máxima): 150°C (TJ) Puerta-sourcevoltage VG: -10 V/20 V
Paquete/caso: Módulo Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 50A (Tj)

MOSFET automotriz de CoolSiC del carburo de silicio de los módulos DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V de IGBT


Descripción de producto de DF11MR12W1M1PB11BPSA1

DF11MR12W1M1PB11BPSA1 es módulo del MOSFET de CoolSiC del carburo de silicio, 2 órdenes (duales) del MOSFET del canal N.


Especificación de DF11MR12W1M1PB11BPSA1

Número de parte DF11MR12W1M1PB11BPSA1
Tecnología
Carburo de silicio (sic)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
50A (Tj)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
124nC @ 15V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
3680pF @ 800V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete/caso
Módulo

 

Características de DF11MR12W1M1PB11BPSA1

  • Sensor de temperatura integrado de NTC
  • Tecnología del contacto PressFIT
  • Montaje rugoso debido a las abrazaderas de montaje integradas
  • material termal Pre-aplicado del interfaz

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
78615/1MC SMD
CD1376C SMD
STM8L151C4U6 QFN
ADA4311-1ARHZ MSOP
MCP1316T-46LE/OT SOT23-5
C850-100-WH QFN

 

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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