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Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Name: Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FP75R12N2T7BPSA2
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Ampliación de imagen : Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	FP75R12N2T7BPSA2

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Descripción

Número de parte:	FP75R12N2T7BPSA2	Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1200 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	1,55 V	Corriente de colector continua en 25 C:	75 A
RTI elec:	140°C	Módulo perdido de la inductancia:	35nH

Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

Descripción de producto de FP75R12N2T7BPSA2
FP75R12N2T7BPSA2 incluyen usos de tres niveles, impulsiones del motor, usos solares, y los sistemas de UPS en los módulos de EasyPACK™.

Especificación de FP75R12N2T7BPSA2

Número de parte	FP75R12N2T7BPSA2
Actual - atajo del colector (máximo)	µA 14
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce	N-F 15,1 @ 25 V
Entrada	Puente rectificador trifásico
Termistor de NTC	Sí

Características de los módulos automotrices de IGBT

material termal Pre-aplicado del interfaz
Operación de la sobrecarga hasta 175°C
VCE bajo, se sentó

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
SD9218-BBG	BGA
SE2528L-R	QFN
SE2529L-R	QFN
SFH1690AT	COMPENSACIÓN
SF-FP2000	COMPENSACIÓN
SFH6106-1	SOP-4

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

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Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulos de los transistores IGBT de la parada de campo del foso de FP75R12N2T7BPSA2 1200V 75A 20mW

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