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Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Name: Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FP15R12KE3GBPSA1
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Ampliación de imagen : Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	FP15R12KE3GBPSA1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Descripción

Número de parte:	FP15R12KE3GBPSA1	Resistencia de la ventaja del módulo:	2.5mΩ
Temperatura de almacenamiento:	-40 - °C 125	Montaje del esfuerzo de torsión para el modul:	3-6Nm
Peso:	180g	Actual - atajo del colector:	1 mA

Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

Descripción de producto de FP15R12KE3GBPSA1
El módulo FP15R12KE3GBPSA1 ofrece un foso/un fieldstop IGBT4 y cuatro diodos emisor-controlados con PressFIT/NTC/TIM.

Especificación de FP15R12KE3GBPSA1

Número de parte	FP15R12KE3GBPSA1
Entrada	Puente rectificador trifásico
Termistor de NTC	Sí
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte del chasis
Paquete/caso	Módulo

Características de los módulos automotrices de IGBT

Montaje rugoso debido a las abrazaderas de montaje integradas
Diseño compacto
material termal Pre-aplicado del interfaz

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
SFH6755	SOP-8
SFH690CT	SOP-4
SFH690AT	COMPENSACIÓN
SGM9116XS	SOP8
SH69P43M	COMPENSACIÓN
SI3018-KS	COMPENSACIÓN

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Soporte automotriz del chasis de los transistores de los módulos FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A de IGBT

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