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Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT
Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Ampliación de imagen :  Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: FP75R12N3T7BPSA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT

Descripción
Número de parte: FP75R12N3T7BPSA1 VCES: 1200 V
Operación de la sobrecarga: 175°C voltaje del Colector-emisor: 1200V
Corriente de colector continua de DC: 100A corriente de colector máxima repetidor: 200A

Soporte trifásico del chasis del inversor 1200 V del módulo de FP75R12N3T7BPSA1 IGBT


Descripción de producto de FP75R12N3T7BPSA1

FP75R12N3T7BPSA1 ofrece pérdidas que cambian bajas y un VCE bajo, sentado. El dispositivo FP75R12N3T7BPSA1 ejecuta tecnología del contacto PressFIT y un diseño de montaje rugoso vía las abrazaderas de montaje integradas.


Especificación de FP75R12N3T7BPSA1

Número de parte

FP75R12N3T7BPSA1

Módulos del silicio de IGBT

inversor trifásico

1200 V

 
Características de los módulos automotrices de IGBT

  • Substrato Al2O3 con resistencia termal baja

  • Tecnología del contacto PressFIT

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte

Paquete

SI-3012KD

TO263-5

SI3052-ZQ9R

QFP

SI3021-KS

COMPENSACIÓN

SI4178DY-T1-GE3

SOP8

SI4800BDY-T1-E3

SOP-8

SI7108DN-T1-E3

QFN


FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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