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Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC
Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Ampliación de imagen :  Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union

Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC

Descripción
Número de parte: FF8MR12W2M1B11BOMA1 IDRM: 300a
Energía almacenada de COSS: µJ 264 Paquete/caso: Módulo
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (tipo) Corriente pulsada del dren: 300a

Medios módulos automotrices del módulo 1200V IGBT del MOSFET del puente FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC


Descripción de producto de FF8MR12W2M1B11BOMA1

FF8MR12W2M1B11BOMA1 es 1200 V, módulo del semipuente de 8 mΩ con el sensor de temperatura del MOSFET, de NTC de CoolSiC™ y tecnología del contacto PressFIT.


Especificación de FF8MR12W2M1B11BOMA1

Número de parte FF8MR12W2M1B11BOMA1
Serie
CoolSiC™+
Tecnología
Carburo de silicio (sic)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
7.5mOhm @ 150A, 15V (tipo)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
AG-EASY2BM-2

 

Características de FF8MR12W2M1B11BOMA1

  • Densidad de gran intensidad
  • Una operación más alta de la frecuencia
  • Diseño inductivo bajo
  • La eficacia más alta para reducido el refrescar de esfuerzo

 

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte Paquete
UEI30-150-Q12P DC-DC
SKY13489-001 QFN
RT9164A-15GG SOT-223
NAS7825-AABCF BGA
SKY13286-359IF QFN
ACPM-7081-TR1 QFN

 

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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