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Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Name: Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FP35R12N2T7BPSA2
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

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Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Ampliación de imagen : Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	FP35R12N2T7BPSA2

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Descripción

Número de parte:	FP35R12N2T7BPSA2	Peso:	24g
Corriente máxima repetidor del dren:	30A	voltaje de la puerta del En-estado:	18v
voltaje de la puerta del Apagado-estado:	-5V	Voltaje del umbral de la puerta:	4,3 V

Módulos trifásicos automotrices del silicio del inversor IGBT de los módulos FP35R12N2T7BPSA2 de IGBT

Descripción de producto de FP35R12N2T7BPSA2

Característica FP35R12N2T7BPSA2 un sensor de temperatura integrado, una densidad de gran intensidad, y un VCE bajo.

Especificación de FP35R12N2T7BPSA2

Número de parte	FP35R12N2T7BPSA2
Producto:	Módulos del silicio de IGBT
Configuración:	inversor trifásico
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	1200 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor:	1,6 V
Corriente de colector continua en 25 C:	35 A

Características de los módulos automotrices de IGBT

Diseño inductivo bajo
Pérdidas que cambian bajas
VCE bajos (se sentó)

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
SLVU2.8-4.TBT	SOP8
SM3115B-BM8B-FN1N	INMERSIÓN
SM3015A-AM8B-FN1N	DIP18
SM3015B-BM8B-FN1N	DIP18
SM5021B	INMERSIÓN
SM8580AM	SSOP

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

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