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Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

Name: Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: F415MR12W2M1B76BOMA1
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

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Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

Ampliación de imagen : Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	F415MR12W2M1B76BOMA1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

Descripción

Número de parte:	F415MR12W2M1B76BOMA1	voltaje de la Dren-fuente (Tvj = 25°C):	1200V
Voltaje de la Puerta-fuente:	-10 V/20 V	Nom de la identificación:	200A
Configuración:	Canal N 2 (dual)	Temperatura bajo condiciones que cambian:	-40°C ~ 150°C

Módulo automotriz del MOSFET de los módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

Descripción de producto de F415MR12W2M1B76BOMA1

F415MR12W2M1B76BOMA1 es 1200 V, módulo del fourpack de 15 mΩ con el MOSFET de CoolSiC™, NTC, y tecnología del contacto PressFIT.

Especificación de F415MR12W2M1B76BOMA1

Número de parte	F415MR12W2M1B76BOMA1
Tecnología	Carburo de silicio (sic)
Configuración	Canal N 4 (medio puente)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	75A (Tj)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	15mOhm @ 75A, 15V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5.55V @ 30mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	186nC @ 15V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	5520pF @ 800V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte del chasis
Paquete/caso	Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor	AG-EASY1B-2

Características de F415MR12W2M1B76BOMA1

Confiabilidad superior del puerta-óxido
Densidad de poder y diseño compacto
Funcionamiento optimizado para la carga rápida de DC
Permite flujo de energía bidireccional

Otros componentes electrónicos en existencia

Número de parte	Paquete
S29CL016J0MQFM030	QFP
K5D1257ACF-D090	BGA
QFE3335	BGA
QFE3345	BGA
RFRX8888SR	QFN
TPCC8062-H.L1Q	TSON

FAQ
Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

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Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

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Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

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