Inicio Productos Módulos automotrices de IGBT

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Name: Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120AM042CT6AG
Availability: InStock

Todos los productos

Microprocesador del circuito integrado
(18424)

BT IC
(524)

Módulos automotrices de IGBT
(1938)

Microcontrolador MCU
(12433)

GaN IC
(51)

Chip de procesador de IA
(1169)

Arsenal de puerta programable del campo
(6583)

CI de Ethernet
(939)

Conectores
(2853)

Chip IC de memoria
(2435)

Sensor IC
(2168)

chip de internet de las cosas
(232)

módulo 5G
(132)

Microprocesador de WiFi 6
(138)

Chip CI de Iphone
(55)

Módulo de comunicación inalámbrico
(3301)

Regulador de temperatura Thermostat
(8)

Los Mejores Productos

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

Estoy en línea para chatear ahora

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Ampliación de imagen : Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM120AM042CT6AG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Descripción

Número de parte:	MSCSM120AM042CT6AG	Tipo:	Pierna de la fase
Identificación - Corriente continua del dren:	495 A	Paladio - disipación de poder:	W 2031
Rds encendido:	5,2 mOhms	Vds:	1,2 kV

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Descripción del producto deMSCSM120AM042CT6AG

Los módulos de potencia MSCSM120AM042CT6AG cuentan con un paquete SP6LI de inductancia extremadamente baja, con una inductancia parásita máxima de 3nH.

Especificación deMSCSM120AM042CT6AG

Número de parte	MSCSM120AM042CT6AG
Id - Corriente de drenaje continuo:	495 un
Pd - Disipación de potencia:	2031 O
Tipo de producto:	Módulos de semiconductores discretos
Rds On - Resistencia drenaje-fuente:	5,2 mOhmios

CaracterísticasDeMSCSM120AM042CT6AG

Diodo Schottky SiC
Recuperación inversa cero
Recuperación hacia adelante cero

Otros tipos de productos de suministro

Número de parte	Paquete
P80C31SBAA	PLCC-44
ADUM1210BRZ	SOP-8
FMS6502MTC24X	TSSOP24
ADM13307-5ARZRL7	SOP8
ZSC31150	SSOP14
MC56F8255VLD	LQFP-44

Preguntas más frecuentes

P: ¿sus productos son originales?
R: Sí, todos los productos son originales, nuestro objetivo es la nueva importación original.
P: ¿Qué certificados tiene?
R: Somos una empresa certificada ISO 9001:2015 y miembro de ERAI.
P: ¿Puede admitir pedidos o muestras de pequeñas cantidades? ¿La muestra es gratuita?
R: Sí, admitimos pedidos de muestra y pedidos pequeños. El costo de la muestra es diferente según su pedido o proyecto.
P: ¿Cómo enviar mi pedido?¿Es seguro?
R: Usamos envíos exprés, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. También podemos usar su transportista sugerido. Los productos estarán en buen embalaje y garantizarán la seguridad y somos responsables de los daños del producto en su pedido.
P: ¿Qué pasa con el tiempo de entrega?
R: Podemos enviar piezas en existencia dentro de los 5 días hábiles. Si no hay existencias, le confirmaremos el tiempo de entrega en función de la cantidad de su pedido.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Otros productos

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Microprocesador del circuito integrado

BT IC

Módulos automotrices de IGBT

Microcontrolador MCU

GaN IC

Chip de procesador de IA

Arsenal de puerta programable del campo

CI de Ethernet

Conectores

Chip IC de memoria

Sensor IC

chip de internet de las cosas

módulo 5G

Microprocesador de WiFi 6

Chip CI de Iphone

Módulo de comunicación inalámbrico

Regulador de temperatura Thermostat

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Módulos semiconductores discretos MSCSM120AM042CT6AG Transistores Montaje en chasis

Módulos automotrices 400A de IGBT,

Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Módulo 1200V del polvo de IGBT

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad