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Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

Name: Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120TAM11CTPAG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

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Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

Ampliación de imagen : Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM120TAM11CTPAG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

Descripción

Número de parte:	MSCSM120TAM11CTPAG	Corriente pulsada del dren:	1600A
Voltaje de la Puerta-fuente:	25V	Configuración:	Triple
Dren-fuente EN resistencia:	3.1mΩ	Disipación de poder:	3215W

Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

Descripción de producto de MSCSM120TAM11CTPAG

Los módulos de MSCSM120TAM11CTPAG actúan en el voltaje reverso 1.2kV (VR), -10V a la gama del voltaje de la puerta-fuente 25V (VGS), la disipación de poder 310W/560W (paladio), y la corriente continua del dren 79A/150A (identificación).

Especificación de MSCSM120TAM11CTPAG

Número de parte	MSCSM120TAM11CTPAG
Tiempo de caída:	25 ns
Identificación - corriente continua del dren:	251 A
Paladio - disipación de poder:	W 1042
Tipo de producto:	Módulos discretos del semiconductor
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	mOhms 10,4

Ventajas de MSCSM120TAM11CTPAG

Convertidor de la eficacia alta
Funcionamiento excepcional en la operación de alta frecuencia

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
UBA2025T	SOP16
STTH5R06D	TO-220AC
AUIRF1404Z	TO-263
SN74LVC16244AZQLR	BGA-54
BQ24193HRGER	QFN
LNBH221PD	HSSOP36

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulo de los transistores del soporte del chasis del arsenal 1200V 251A del Mosfet de MSCSM120TAM11CTPAG

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