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Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT

Name: Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM70AM025CD3AG
Availability: InStock

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Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

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Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

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Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT

Ampliación de imagen : Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSCSM70AM025CD3AG

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	Módulo
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT

Descripción

Número de parte:	MSCSM70AM025CD3AG	VF:	1,5 V
realidad virtual:	700 V	Identificación:	538 un
Vds:	700 V	VGS:	+ 25 V

Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT

Descripción de producto de MSCSM70AM025CD3AG

MSCSM70AM025CD3AG e es un módulo de poder lleno de la pierna 1200 V/55 A de la fase sic. Características arriba que bloquean voltaje, inductancia perdida muy baja, el peso ultrabajo, y el empalme bajo para encajonar resistencia termal.

Especificación de MSCSM70AM025CD3AG

Número de parte:	MSCSM70AM025CD3AG	Tecnología:	Sic
Tipo:	Pierna de la fase	Voltaje reverso:	1,2 KILOVOLTIOS
Vgs:	2.5V	Tiempo de caída:	25 Ns

Características de MSCSM70AM025CD3AG

Alto voltaje de bloqueo
Inductancia perdida muy baja
Peso ultrabajo
Perfil ultrabajo

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
MC9S08AC32CFGE	LQFP44
TPS5402DR	SOP-8
NCP1200P100G	DIP-8
CC2640F128RHBR	VQFN32
R5F364AKNFA	QFP
LTC1867ACGN	SSOP-16

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Transistores automotrices del módulo de poder del carburo de silicio de los módulos MSCSM70AM025CD3AG de IGBT

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