Inicio Productos Módulos automotrices de IGBT

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Name: Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSC40SM120JCU3
Availability: InStock

Todos los productos

Microprocesador del circuito integrado
(18396)

BT IC
(524)

Módulos automotrices de IGBT
(1937)

Microcontrolador MCU
(12421)

GaN IC
(51)

Chip de procesador de IA
(1169)

Arsenal de puerta programable del campo
(6582)

CI de Ethernet
(938)

Conectores
(2853)

Chip IC de memoria
(2435)

Sensor IC
(2168)

chip de internet de las cosas
(232)

módulo 5G
(132)

Microprocesador de WiFi 6
(138)

Chip CI de Iphone
(55)

Módulo de comunicación inalámbrico
(3297)

Regulador de temperatura Thermostat
(8)

Los Mejores Productos

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Certificación

Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones

Comentarios de cliente

Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

Estoy en línea para chatear ahora

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Ampliación de imagen : Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Datos del producto:

Lugar de origen:	NC
Nombre de la marca:	Original Factory
Certificación:	Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo:	MSC40SM120JCU3

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	10
Precio:	Contact for Sample
Detalles de empaquetado:	SOT-227-4, miniBLOC
Tiempo de entrega:	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T/T, L/C, Western Union

Contacto

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Descripción

Número de parte:	MSC40SM120JCU3	Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:	55A (Tc)
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:	2.7V @ 1mA	Disipación de poder (máxima):	245W (Tc)
Tiempo de retraso de abertura típico:	30 ns	Polaridad del transistor:	Canal N

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Descripción de producto de MSC40SM120JCU3

MSC40SM120JCU3 es 1200 V, 55 un módulo de poder lleno del MOSFET de Buck Chopper del carburo de silicio sic.

Especificación de MSC40SM120JCU3

Número de parte:	MSC40SM120JCU3
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	25 ns
Identificación - corriente continua del dren:	55 A
Paladio - disipación de poder:	245 W
Tipo de producto:	Módulos discretos del semiconductor
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	50 mOhms
Tiempo de subida:	30 ns

Características de salida, TJ = °C 175 (MSC40SM120JCU3)

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic 0

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte	Paquete
SKYA21003	QFN-12
SN65LVDS9637DGK	MSOP8
BMA250E	LGA12
MIC3775YMM	MSOP8
A5940KLKTR	SOP10
STH15810-2	TO-263

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Otros productos

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 400A

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Número de la parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo de IGBT: Foso

Estado del producto: Actividad

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 950 V

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): 950 V

Actual - colector (Ic) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Característica del FET: Carburo de silicio (SiC)

Voltagem de salida a la fuente (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: Las demás:

Tipo de montaje: Montura del chasis

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Número de la parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): 750 V

Corriente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potencia - máximo: 20 mW

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Microprocesador del circuito integrado

BT IC

Módulos automotrices de IGBT

Microcontrolador MCU

GaN IC

Chip de procesador de IA

Arsenal de puerta programable del campo

CI de Ethernet

Conectores

Chip IC de memoria

Sensor IC

chip de internet de las cosas

módulo 5G

Microprocesador de WiFi 6

Chip CI de Iphone

Módulo de comunicación inalámbrico

Regulador de temperatura Thermostat

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Módulo de poder automotriz del MOSFET de los módulos 1200V del canal N MSC40SM120JCU3 IGBT sic

Módulos automotrices 400A de IGBT,

Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Módulo 1200V del polvo de IGBT

módulo automotriz FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet de los módulos 1200V de 400A IGBT sic

módulo llano F3L400R10W3S7B11BPSA1 de los módulos 3 automotrices IGBT de 950V 400A IGBT

Parada de campo del foso del módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Módulos automotrices FS05MR12A6MA1BBPSA1 de los módulos de poder del carburo de silicio de HEV 1200V 200A

Módulos automotrices IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT de medio puente

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad