logo
  • Spanish
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Hindi
    Turkish
    Indonesian
    Vietnamese
    Thai
    Bengali
    Persian
    Polish
Solicitar una cotización |
Inicio ProductosMódulos automotrices de IGBT

Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Todos los productos

Microprocesador del circuito integrado

(18424)

BT IC

(524)

Módulos automotrices de IGBT

(1938)

Microcontrolador MCU

(12433)

GaN IC

(51)

Chip de procesador de IA

(1169)

Arsenal de puerta programable del campo

(6583)

CI de Ethernet

(939)

Conectores

(2853)

Chip IC de memoria

(2435)

Sensor IC

(2168)

chip de internet de las cosas

(232)

módulo 5G

(132)

Microprocesador de WiFi 6

(138)

Chip CI de Iphone

(55)

Módulo de comunicación inalámbrico

(3301)

Regulador de temperatura Thermostat

(8)
Los Mejores Productos
Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

Módulos trifásicos duales medios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT del poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energía fotovoltaica del módulo 950V 70A de la fase IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Módulo dual automotriz de los módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Certificación
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Porcelana ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certificaciones
Comentarios de cliente
Fue enviado muy rápidamente, y muy útil, nuevo y original, recomendaría altamente.

—— Nishikawa de Japón

Servicio profesional y rápido, precios aceptables para las mercancías. comunicación excelente, producto como se esperaba. Recomiendo altamente a este proveedor.

—— Luis de los Estados Unidos

Alta calidad y rendimiento fiable: "Los componentes electrónicos que recibimos de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] son de alta calidad y han demostrado un rendimiento confiable en nuestros dispositivos".

—— Richardg de Alemania

Precios competitivos: Los precios ofrecidos por son muy competitivos, lo que lo convierte en una excelente opción para nuestras necesidades de adquisición.

—— Tim de Malasia

El servicio al cliente es excelente, siempre receptivo y servicial, garantizando que nuestras necesidades se satisfagan rápidamente.

—— Vincent de Rusia

Grandes precios, entrega rápida y servicio al cliente de primer nivel.

—— Nishikawa de Japón

Componentes confiables, envío rápido y excelente soporte.

—— Sam de los Estados Unidos

Recomendamos Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para cualquier proyecto de electrónica.

—— Lina de Alemania

Estoy en línea para chatear ahora

Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG
Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Ampliación de imagen :  Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Datos del producto:
Lugar de origen: NC
Nombre de la marca: Original Factory
Certificación: Lead free / RoHS Compliant
Número de modelo: MSCSM170AM23CT1AG
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10
Precio: Contact for Sample
Detalles de empaquetado: Módulo
Tiempo de entrega: 5-8 días del trabajo
Condiciones de pago: T/T, L/C, Western Union
Contacto

Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Descripción
Número de parte: MSCSM170AM23CT1AG Configuración: Canal N 2 (pierna de la fase)
VGS: 20 V corriente de la salida de la Puerta-fuente: 200nA
Energía de abertura: 2.2mJ Resistencia termal del Empalme-a-caso: 0.25°C/W

Transistores discretos del semiconductor del arsenal 1.7kV 124A del Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

 

Descripción de producto de MSCSM170AM23CT1AG

MSCSM170AM23CT1AG ofrece alto voltaje de bloqueo, inductancia perdida muy baja, el peso ultrabajo, y el empalme bajo para encajonar resistencia termal.

 

Especificación de MSCSM170AM23CT1AG

Número de parte:

MSCSM170AM23CT1AG

Dren-fuente EN resistencia:

15 MΩ

Disipación de poder:

862W

Capacitancia de salida:

450pF

Tiempo de caída:

19ns

Resistencia interna de la puerta:

1.95Ω

 

Características de MSCSM170AM23CT1AG

  • Alto voltaje de bloqueo

  • Inductancia perdida muy baja

 

Otros tipos de producto de la fuente

Número de parte

Paquete

RF5626

QFN

SFH421Z

SMD

LCMXO2-640HC-4TG100I

TQFP100

ADV7182WBCPZ

LFCSP32

IPA60R380P6

TO-220F

BFQ149

SOT89

 

FAQ

Q: ¿Son sus productos originales?
: Sí, todos los productos son importación original original, nueva son nuestro propósito.
Q: ¿Qué certificados usted tiene?
: Somos compañía del ISO y miembro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: ¿Puede usted apoyar orden o la muestra de la pequeña cantidad? ¿Está la muestra libre?
: Sí, apoyamos orden de la muestra y pequeña orden. El coste de la muestra es diferente según su orden o proyecto.
Q: ¿Cómo enviar mi orden? ¿Es seguro?
: Utilizamos expreso para enviar, por ejemplo DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos también utilizar su promotor sugerido. Los productos estarán en el bueno que embala y asegurar la seguridad y nos sea responsable al daño del producto a su orden.
Q: ¿Qué sobre el plazo de ejecución?
: Podemos enviar las partes comunes en el plazo de 5 días laborables. Si sin la acción, confirmaremos el plazo de ejecución para usted basamos en su cantidad de la orden.

etiqueta:

Módulos automotrices 400A de IGBT,

Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Módulo 1200V del polvo de IGBT

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona de Contacto: Sales Manager

Teléfono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

Sobre

Microprocesador del circuito integrado

VN7008AJTR Chip de circuito integrado controlador de lado alto 96A interruptores de lado alto PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Commutadores analógicos CMOS industriales

LT6700CS6-1 Chip de circuito integrado de microenergía de bajo voltaje con doble comparador de 400 mV de referencia

CI de Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s de 6 carriles y 6 puertos PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC de 16 vías y 16 puertos con interruptor PCI Express HSBGA-324 conmutador PCIe

Transmisores de transmisión de Ethernet PHY de alta velocidad

DEJA UN MENSAJE

Política de privacidad | Porcelana Bueno Calidad Microprocesador del circuito integrado Proveedor. © 2022 - 2025 integrated-ic.com. All Rights Reserved.